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WPM2026-3 TR-VB 产品详细

产品简介:

WPM2026-3 TR-VB MOSFET 产品简介

WPM2026-3 TR-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 P 通道 MOSFET,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,专为低电压开关应用设计。其具有最大漏源电压(VDS)为 -20V,漏极电流(ID)为 -4A,适用于需要高效能和低功耗的电子设备。通过采用 Trench 技术,WPM2026-3 TR-VB MOSFET 在提供高效能的同时,能够显著降低热损耗,提升系统整体效率。

该 MOSFET 具有较低的阈值电压(Vth)为 -0.8V,在较低栅源电压下即可开启,适用于低电压控制环境。它的导通电阻(RDS(ON))在不同的栅电压下分别为 80mΩ(VGS=2.5V)、65mΩ(VGS=4.5V)和 60mΩ(VGS=10V),为系统提供高效的电流通道,广泛应用于便携式电子设备、充电管理、低功耗电源控制等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
WPM2026-3 TR-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 P 通道(Single-P-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:-20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:-0.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:-4A
- **技术**:Trench(Trench MOSFET 技术)
- **最大功率耗散**:0.6W(典型值)
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C
- **最大结温**:150°C
- **最大反向恢复时间**:<50ns
- **应用**:低电压开关电源、充电管理、负载控制等

领域和模块应用:

WPM2026-3 TR-VB MOSFET 应用领域及模块

1. **便携式电子设备**
WPM2026-3 TR-VB 的低导通电阻和低阈值电压使其非常适合在便携式电子设备中使用。它可以用于控制小型电池驱动设备中的电源切换,如智能手机、便携式音响、平板电脑等。其优越的开关特性保证了设备的高效运行,延长了电池寿命。

2. **电池管理和充电系统**
WPM2026-3 TR-VB 由于其较低的导通电阻,适用于电池管理系统(BMS)中的功率控制部分。特别是在充电电路中,它能有效地控制电池的充电和放电过程,确保电池充电效率并减少能量损耗。该 MOSFET 还可用于便携式充电设备,如移动电源和电池充电器。

3. **低电压开关电源**
由于其低导通电阻特性,WPM2026-3 TR-VB 非常适合用于低电压开关电源(SMPS)。它能够在小型 DC-DC 转换器、升压/降压转换器中提供高效的电流开关,广泛应用于低功耗消费类电子产品、电源适配器、LED 驱动等领域。

4. **负载驱动和控制应用**
该 MOSFET 可用于各种负载驱动电路,包括电动工具、智能家居产品、自动化设备等。在这些应用中,WPM2026-3 TR-VB 可作为开关元件,通过低功耗的方式控制负载的启停,增强设备的能效和响应速度。

5. **电流限制和过流保护**
WPM2026-3 TR-VB 具有较低的 RDS(ON) 和较高的电流处理能力,可用于过流保护电路。在电源系统和电池充电系统中,当电流超过设定的安全值时,WPM2026-3 TR-VB 能够迅速断开电流流通,从而避免设备损坏或电池过充等问题。

6. **电动机驱动**
在电动机驱动应用中,尤其是在小功率驱动系统中,WPM2026-3 TR-VB 可作为开关元件进行高效的电流控制。它的高效开关性能和低 RDS(ON) 使其非常适用于直流电动机、步进电机和其他小型电机驱动系统。

7. **智能照明系统**
WPM2026-3 TR-VB 可以应用于智能照明系统中,作为低电压驱动的开关元件。它能够在需要频繁开关的环境中提供高效的电流传导,特别是在智能家居的灯光控制系统中,发挥着节能和高效的作用。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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