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WNM3400-3 TR-VB 产品详细

产品简介:

WNM3400-3 TR-VB MOSFET 产品简介

WNM3400-3 TR-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,设计用于中等电压和小功率的开关应用。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 30V,适用于低电压电源管理和负载开关系统。其最大漏电流承载能力为 6.5A,并具有低导通电阻(RDS(ON)),确保在较低电压下提供高效的电流控制和开关性能。WNM3400-3 TR-VB 采用 Trench 技术,具有较低的导通电阻,能够有效减少功率损失,广泛应用于便携设备、电池管理、电源开关和其他低功耗模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
WNM3400-3 TR-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 沟道 MOSFET(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**:6.5A
- **最大功率耗散**:最大 1.5W(根据工作条件)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **技术**:Trench(低导通电阻,优异的开关性能)
- **封装类型**:SOT23-3(适用于小型、低功耗电路)

领域和模块应用:

WNM3400-3 TR-VB MOSFET 的应用领域与模块

1. **便携式电子设备**
- **应用示例**:WNM3400-3 TR-VB 是便携式电子设备中的理想选择,尤其适用于电池供电的小型设备。其低导通电阻(30mΩ @ VGS = 10V)能够提供高效的能量转换,有助于延长电池的使用寿命。广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等低功耗便携设备中,作为电源开关、负载开关或电池管理系统中的开关元件。

2. **电池管理系统**
- **应用示例**:WNM3400-3 TR-VB 适用于电池管理系统(BMS)中,尤其是在低电压(如 3.7V 锂电池系统)中用作电流开关。其低导通电阻和较高的漏电流承载能力(6.5A)使其能够有效地管理电池充放电过程,确保高效的能量传输和电池保护,适用于消费电子产品、智能家居设备、储能系统等。

3. **DC-DC 转换器**
- **应用示例**:该 MOSFET 在 DC-DC 转换器中用作开关元件,适用于中低功率的电源转换应用。由于其低导通电阻(33mΩ @ VGS = 4.5V),能够有效减少功率损耗,提高电源的转换效率。适用于小型电源适配器、电池充电器、LED 驱动电源等低电压电源模块。

4. **LED 驱动电源**
- **应用示例**:WNM3400-3 TR-VB 可用于LED驱动电源中的开关元件,特别适用于低功率的 LED 照明系统。其高效的开关性能和低功耗特性使其在 LED 照明应用中具有良好的性能,能够提供稳定的电流输出,广泛应用于 LED 照明、背光源驱动等领域。

5. **智能家居设备**
- **应用示例**:该 MOSFET 适用于智能家居设备中的电源管理模块,如智能插座、传感器、控制面板等。它的高效性能和小型封装使其能够在有限空间内有效地控制电流和电压,适用于各种低功耗智能设备和控制系统。

6. **负载开关与电源管理**
- **应用示例**:WNM3400-3 TR-VB 作为负载开关,在低功率负载开关系统中表现出色。它的低导通电阻和较高的电流承载能力使其适用于各种电源管理应用,如电池驱动设备、太阳能电池管理、自动化控制系统等。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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