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WNM2306-3 TR-VB 产品详细

产品简介:

WNM2306-3 TR-VB 产品简介

WNM2306-3 TR-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为低电压和高效能开关应用设计。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 20V,适合用于低电压电源管理、移动设备和小型电子设备。其栅源电压(VGS)为 ±12V,阈值电压(Vth)介于 0.5V 和 1.5V 之间,确保了在低电压下能够稳定开关。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS = 4.5V 时为 28mΩ,提供低功耗和高效能的电源转换。该 MOSFET 具有最大漏极电流(ID)为 6A,能够满足高效率的功率调节和开关需求,适用于多种电子应用,包括低功率电源管理、通信模块、电池驱动系统等。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
WNM2306-3 TR-VB 参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单极 N-Channel
- **最大漏源电压(VDS)**:20V
- **最大栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流(ID)**:6A
- **技术**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **应用领域**:低功率电源管理、移动设备、电池管理、通信模块等

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **低功率电源管理**
WNM2306-3 TR-VB MOSFET 适用于低功率电源管理系统,特别是在需要小型化、高效能且低功耗的场合。该 MOSFET 的低导通电阻和小封装非常适合用于微型电源转换器、移动设备的电源管理电路中,能够显著提升系统的电池续航能力。

2. **移动设备**
在智能手机、可穿戴设备等便携式设备中,WNM2306-3 TR-VB MOSFET 可以作为电池管理系统的一部分,用于控制电池的充放电过程。该 MOSFET 可以有效地调节电流,减少电池的能量损失,从而延长设备的电池寿命。

3. **电池管理系统(BMS)**
WNM2306-3 TR-VB 在电池管理系统中作为开关元件,能有效进行电池的充电和放电控制。由于其优异的导电性能和低阈值电压,它能够确保在各种电池管理模式下稳定工作,特别适合小型锂电池的管理。

4. **LED 驱动电源**
在 LED 驱动电源中,WNM2306-3 TR-VB MOSFET 可作为高效的开关元件。其低 RDS(ON) 特性使其非常适合在功率转换中提供较少的能量损耗,并确保 LED 灯具能够持续稳定运行,达到最佳的能效。

5. **通信模块**
该 MOSFET 也广泛应用于低功率通信模块中,尤其是在射频(RF)和无线通信设备中。其快速的开关特性和低导通电阻使其成为理想的开关元件,能够有效提高通信模块的效率,保证信号的稳定传输。

6. **小型电子设备**
由于 WNM2306-3 TR-VB 的小型封装(SOT23-3)和高效能,它被广泛应用于各种小型电子设备中,如传感器、无线设备和便携式显示器等。其低功耗和高效开关特性使得设备能够在长时间运行下保持稳定性能。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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