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WNM2302-3 TR-VB 产品详细

产品简介:

WNM2302-3 TR-VB MOSFET 产品简介

WNM2302-3 TR-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 通道 MOSFET,专为低电压和中等电流应用设计。该 MOSFET 最大漏源电压(V_DS)为 20V,适用于各种低压电子应用。其导通电阻在 V_GS = 4.5V 下为 28mΩ,在 V_GS = 2.5V 下为 42mΩ,展现了良好的开关特性和低功耗特性。具有 6A 的最大漏电流(I_D),这使得它成为电池供电设备、低压电源管理和便携设备中的理想选择。其高效能和紧凑封装使其在空间受限的应用中尤为适用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
详细参数说明

| **参数** | **说明** |
|-----------------------|-----------------------------------------------------------|
| **封装类型** | SOT23-3 |
| **配置** | 单 N 通道 MOSFET |
| **V_DS (漏源电压)** | 20V |
| **V_GS (栅源电压)** | ±12V |
| **V_th (栅源阈值电压)**| 0.5~1.5V |
| **R_DS(ON) (导通电阻)**| 42mΩ @ V_GS = 2.5V;28mΩ @ V_GS = 4.5V |
| **I_D (漏电流)** | 6A |
| **技术** | Trench 技术 |
| **最大功率损耗** | 适用于低电压电源和中等电流负载,功率损耗较低 |
| **工作温度范围** | -55°C 到 +150°C |
| **特性** | 紧凑封装,适用于低电压应用,低导通电阻,高效能,快速开关 |

领域和模块应用:

产品应用领域与模块示例

1. **便携设备**
- WNM2302-3 TR-VB 在便携设备中的应用非常广泛,特别是在电池供电的设备中。由于其低导通电阻和较低的功率损耗,它能够延长电池寿命,提高设备的能效,适用于便携式电源管理模块、电池保护电路等领域。

2. **低压电源管理**
- 该 MOSFET 特别适用于低电压电源管理模块,如手机充电器、USB 电源适配器以及其他小型低功耗电源。在这些应用中,它能够有效地进行功率转换,保持较低的导通电阻,以降低系统的能量损耗,提高效率。

3. **LED 驱动电路**
- 在 LED 照明领域,WNM2302-3 TR-VB 可以用于 LED 驱动电路中。在这种应用中,它可以在较低的电压下提供高效的开关特性,支持高频工作,驱动小功率 LED,特别适合需要较小封装的应用。

4. **自动化系统**
- 适用于各种小型自动化系统中,例如传感器模块、电池管理系统和低功耗的驱动控制模块。由于其高效开关和低导通电阻,WNM2302-3 TR-VB 能够减少热量产生并延长系统的工作寿命,保证系统在高效能下稳定运行。

5. **消费电子产品**
- 在消费电子产品中,特别是在无线设备、手持设备和其他小型电器中,该 MOSFET 可用于电源调节、电池管理和功率转换等方面。它的小尺寸和高效能使其适用于空间有限且要求功耗最低的消费电子产品。

6. **智能家居系统**
- WNM2302-3 TR-VB 可用于智能家居系统中的电源管理模块,如智能插座、传感器和智能灯具等。由于其低导通电阻和高效能特性,它能有效管理电流流动,提供可靠的开关控制,同时减少能量损耗。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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