产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12（±V） |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
|
|
|
2. **详细参数说明：**
- **封装类型：** SOT23-3
- **配置：** 单 N-Channel MOSFET
- **最大漏极-源极电压（VDS）：** 20V
- **最大栅极-源极电压（VGS）：** ±12V
- **阈值电压（Vth）：** 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流（ID）：** 6A
- **技术：** Trench
- **功率损耗（P_D）：** 根据应用条件，较低的导通电阻可减少功率损耗
- **工作温度范围（T_j）：** -55°C 至 150°C
- **栅极电荷（Qg）：** 适中，适合高效开关应用
- **最大功率（P_max）：** 根据工作环境提供相应的功率稳定性
- **封装尺寸：** 小型 SOT23-3，适合空间受限的应用
领域和模块应用：
3. **应用领域和模块示例：**
# 1. **低压电源管理：**
WNM2300-3 TR-VB MOSFET 在低压电源管理系统中广泛应用。其最大漏极-源极电压为 20V，能够支持许多电源转换应用，如降压和升压转换器，尤其适合用于 USB 电源适配器、充电器和低电压电源模块。由于其较低的导通电阻（28mΩ @ VGS = 4.5V），它能够减少功率损耗并提高整体效率，尤其适合在紧凑型电源设计中使用。
# 6. **汽车电子：**
在汽车电子应用中，WNM2300-3 TR-VB 可用于低压电池管理、车载电源和控制电路中。由于其能够处理 6A 的漏极电流，它可以在汽车的低压电路中实现高效的电源转换和电流控制，满足汽车电气系统的需求。
总结：
WNM2300-3 TR-VB 是一款小型高效的单 N-Channel MOSFET，采用 SOT23-3 封装，适用于低电压、高效开关应用。其低导通电阻和高漏极电流能力使其在电池驱动设备、电源管理、开关电源、信号调节以及低功率电子应用中具有广泛的应用前景。凭借其先进的 Trench 技术，该 MOSFET 提供了卓越的开关性能和高效的能量转换，适用于多种领域中的精密电源控制和电流管理需求。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
立即下载
中文
English
返回上级页面
