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WNM2034-3 TR-VB 产品详细

产品简介:

WNM2034-3 TR-VB MOSFET 产品简介

WNM2034-3 TR-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,设计用于低电压、中功率的开关应用。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 20V,适合用于小型电源、负载驱动和低功耗电路。WNM2034-3 TR-VB 具有较低的导通电阻(RDS(ON))和较高的漏电流承受能力(最大 6A),其 RDS(ON) 在 VGS=4.5V 时为 28mΩ,确保在低电压驱动下的高效能转换,适用于各种低电压系统和小功率驱动模块。该 MOSFET 采用 Trench 技术,能够提供较高的开关性能和较低的功率损耗,广泛应用于便携式设备、电池管理、LED 驱动和各种开关电源模块中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
WNM2034-3 TR-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 沟道 MOSFET(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流(ID)**:6A
- **功率耗散**:最大 1.5W(根据工作条件)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **技术**:Trench(低导通电阻、优异的开关性能)
- **封装类型**:SOT23-3(适用于小型、低功耗电路)

领域和模块应用:

WNM2034-3 TR-VB MOSFET 的应用领域与模块

1. **便携式电子设备**
- **应用示例**:WNM2034-3 TR-VB 是便携式电子设备中理想的开关元件,特别适合低电压电池驱动的系统。它的低导通电阻(42mΩ @ VGS = 2.5V)有助于减少能量损耗,使得设备在工作时更加高效。广泛应用于智能手机、平板电脑、电动工具等小型电子设备中,用于电源开关和电池管理。

2. **LED 驱动电源**
- **应用示例**:该 MOSFET 在 LED 驱动电源中有广泛应用,特别是在低电压(20V 以下)系统中。它的低导通电阻和高电流承受能力使其在驱动 LED 模块时能够提供稳定的电流控制,减少功率损耗。适用于各种小型 LED 照明系统、背光模块等应用,提供高效的功率转换。

3. **电池管理系统**
- **应用示例**:在电池管理系统(BMS)中,WNM2034-3 TR-VB 可用作电池的电流开关或电压监测开关。其低导通电阻和高电流处理能力使其在低电压环境下表现出色,帮助提升系统效率,并延长电池使用寿命。特别适合于移动设备和便携式电池管理系统。

4. **低功率开关电源**
- **应用示例**:该 MOSFET 适用于低功率开关电源(如 DC-DC 转换器)中的开关元件。由于其较低的 RDS(ON) 值,能够在高频开关操作中有效减少功率损耗,提升转换效率。适用于电子产品的电源模块、电池充电器、低功率电源适配器等应用。

5. **负载开关与电源管理**
- **应用示例**:WNM2034-3 TR-VB 可用于负载开关和电源管理系统中的开关元件。它的低导通电阻和较高的电流承载能力使其能够控制大电流负载,广泛应用于低压系统中,确保高效的电能管理和控制。适用于各种工业电源管理系统、家电产品等。

6. **无线通信设备**
- **应用示例**:由于其小尺寸和高效性能,WNM2034-3 TR-VB 适用于无线通信设备中的功率开关和信号切换模块。它在低电压操作下具有较低的导通损耗,可以帮助提升设备的无线性能和电池寿命。适用于蓝牙设备、Wi-Fi 路由器、无线传感器等设备中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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