产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12(±V) |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
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WNM2034-3 TR-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 沟道 MOSFET(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流(ID)**:6A
- **功率耗散**:最大 1.5W(根据工作条件)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **技术**:Trench(低导通电阻、优异的开关性能)
- **封装类型**:SOT23-3(适用于小型、低功耗电路)
领域和模块应用:
WNM2034-3 TR-VB MOSFET 的应用领域与模块
1. **便携式电子设备**
- **应用示例**:WNM2034-3 TR-VB 是便携式电子设备中理想的开关元件,特别适合低电压电池驱动的系统。它的低导通电阻(42mΩ @ VGS = 2.5V)有助于减少能量损耗,使得设备在工作时更加高效。广泛应用于智能手机、平板电脑、电动工具等小型电子设备中,用于电源开关和电池管理。
2. **LED 驱动电源**
- **应用示例**:该 MOSFET 在 LED 驱动电源中有广泛应用,特别是在低电压(20V 以下)系统中。它的低导通电阻和高电流承受能力使其在驱动 LED 模块时能够提供稳定的电流控制,减少功率损耗。适用于各种小型 LED 照明系统、背光模块等应用,提供高效的功率转换。
3. **电池管理系统**
- **应用示例**:在电池管理系统(BMS)中,WNM2034-3 TR-VB 可用作电池的电流开关或电压监测开关。其低导通电阻和高电流处理能力使其在低电压环境下表现出色,帮助提升系统效率,并延长电池使用寿命。特别适合于移动设备和便携式电池管理系统。
4. **低功率开关电源**
- **应用示例**:该 MOSFET 适用于低功率开关电源(如 DC-DC 转换器)中的开关元件。由于其较低的 RDS(ON) 值,能够在高频开关操作中有效减少功率损耗,提升转换效率。适用于电子产品的电源模块、电池充电器、低功率电源适配器等应用。
5. **负载开关与电源管理**
- **应用示例**:WNM2034-3 TR-VB 可用于负载开关和电源管理系统中的开关元件。它的低导通电阻和较高的电流承载能力使其能够控制大电流负载,广泛应用于低压系统中,确保高效的电能管理和控制。适用于各种工业电源管理系统、家电产品等。
6. **无线通信设备**
- **应用示例**:由于其小尺寸和高效性能,WNM2034-3 TR-VB 适用于无线通信设备中的功率开关和信号切换模块。它在低电压操作下具有较低的导通损耗,可以帮助提升设备的无线性能和电池寿命。适用于蓝牙设备、Wi-Fi 路由器、无线传感器等设备中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性