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WNM2025-3 TR-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:WNM2025-3 TR-VB

WNM2025-3 TR-VB 是一款小型化单N通道MOSFET,采用SOT23-3封装,具有极低的导通电阻和高效能,适用于低电压应用。其最大漏极-源极电压(VDS)为20V,最大漏极电流(ID)为6A,采用Trench技术,具备较低的导通电阻(RDS(ON) = 42mΩ@VGS=2.5V 和 28mΩ@VGS=4.5V),使其能够提供高效的开关性能,降低功率损耗。阈值电压(Vth)范围为0.5V至1.5V,意味着它可以在较低的栅极驱动电压下启动,非常适合用于低功耗、高效能的电源转换、信号放大等场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
详细参数说明

- **型号**:WNM2025-3 TR-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极电压(VDS)**:20V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS = 2.5V:42mΩ
- VGS = 4.5V:28mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:6A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块

1. **便携式电池供电设备**
WNM2025-3 TR-VB的低VDS和低导通电阻使其非常适合用于移动设备或便携式电子产品的电源管理模块中。它可用于便携式充电器、便携式电池驱动器、智能手表和无线耳机等产品,提供高效的电流转换和控制。

2. **低压电源转换器**
该MOSFET适用于低压DC-DC转换器、降压转换器(Buck Converter)和升压转换器(Boost Converter)。它的低导通电阻能够显著提高转换效率,降低转换过程中的功率损失,特别适用于需要高效能和稳定输出的低功耗电源管理应用。

3. **高效电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统(BMS)中,WNM2025-3 TR-VB的高效开关能力和低导通电阻有助于在电池充放电过程中提高效率,减少损耗。适用于智能手机、无人机、电动工具等需要精确电池控制的产品,确保电池的长期可靠运行。

4. **传感器和信号放大模块**
由于其较低的阈值电压(Vth),该MOSFET非常适合应用于低电压信号放大器、传感器驱动电路、自动化控制系统中。在这些应用中,WNM2025-3 TR-VB能够提供高效且稳定的信号处理,尤其是在低功耗的传感器和接口模块中表现尤为突出。

5. **低功耗逻辑电路**
该MOSFET的低栅源电压和低导通电阻特性使其适用于低功耗逻辑电路,如微控制器、数字信号处理器(DSP)等。它能够在较低的驱动电压下高效开关,广泛应用于嵌入式系统、智能设备和低功耗计算平台。

6. **无线通信模块**
WNM2025-3 TR-VB同样适用于无线通信模块中的功率开关和信号调制解调器,特别是在低电压工作环境下的蓝牙、Zigbee、LoRa等短距离通信系统中,提供高效且低损耗的功率传输。

7. **汽车电子系统**
在汽车电子中,尤其是电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的低压系统,WNM2025-3 TR-VB的应用能够提高系统的整体效率,减少系统功耗,适用于电动汽车的低压电源转换和电池管理模块等。

8. **消费电子**
在消费电子产品如智能手机、便携式音响、个人健康监测设备中,WNM2025-3 TR-VB的低导通电阻和低电压工作特性,使其成为理想的电源管理解决方案,为这些设备提供稳定、低功耗的电源转换和控制。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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