产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12(±V) |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
|
|
|
详细参数说明
- **型号**:WNM2020-3 TR-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源电压 (VDS)**:20V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±12V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:6A
- **技术**:Trench
- **最大功率耗散**:0.5W
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **反向恢复特性**:内建反向二极管,适用于逆向电流的保护电路
领域和模块应用:
适用领域和模块
**1. 便携式设备的电源管理**
**WNM2020-3 TR-VB** 适用于各种 **便携式电子设备**,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。这款 MOSFET 的低导通电阻和较低的门限电压,使其能够在低功率的电池供电环境下有效工作,优化设备的功率消耗,延长电池续航时间。其 **6A** 的最大漏极电流能够满足这些设备对中等功率负载的要求。
**2. 电池驱动系统和电池管理系统(BMS)**
在 **电池管理系统(BMS)** 中,**WNM2020-3 TR-VB** 可用于 **电池充电器**、**电池保护电路** 和 **电池监控** 中,确保系统的高效能与安全性。该 MOSFET 可以快速响应开关控制,优化电池充电过程,保证电池在充电和放电过程中处于安全状态,且具有较低的导通损耗。
**3. 电源开关和调节应用**
这款 **MOSFET** 也适用于 **低电压电源开关**,例如 **DC-DC 转换器** 和 **LDO(低压差稳压器)** 等。这些应用要求 **MOSFET** 在较低的电压范围内高效工作,而 **WNM2020-3 TR-VB** 的低导通电阻使其在电压转换过程中减少能量损失,提高转换效率。在低压电源的调节与稳压应用中,**WNM2020-3 TR-VB** 的低导通电阻帮助降低热损失,并提高整个电源系统的稳定性。
**4. 通信设备中的开关控制**
在 **通信设备** 中,尤其是 **射频(RF)开关** 和 **调制解调器**,**WNM2020-3 TR-VB** 的低导通电阻和快速响应特性使其成为理想选择。MOSFET 可以用于信号的开关和调节,并且能够在频繁切换的工作环境中提供稳定的性能,减少信号损耗,提升信号传输的质量。
**5. 低功率开关应用**
适用于各种 **低功率开关应用**,如 **音频设备**、**LED 驱动**、**显示器背光控制** 等。**WNM2020-3 TR-VB** 的 **20V** 最大漏源电压使其非常适合用于这些设备中的低电压开关应用,其低导通电阻减少了能量损失,提升了整体效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性