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WNM2016-3 TR-VB 产品详细

产品简介:

WNM2016-3 TR-VB 产品简介

WNM2016-3 TR-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为低电压和高效率开关应用设计。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 20V,适合用于低压电源系统和电池驱动设备中。WNM2016-3 TR-VB 的栅源电压(VGS)为 12V(±),阈值电压(Vth)范围在 0.5V 到 1.5V 之间,保证了在低电压下也能实现可靠的开关操作。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 28mΩ,具有优异的导电性能,能够降低能耗,提供高效的电力转换。最大漏极电流(ID)为 6A,适用于高效能的小功率应用场景,广泛应用于移动设备、通信模块、低功率电源管理等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
WNM2016-3 TR-VB 参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单极 N-Channel
- **最大漏源电压(VDS)**:20V
- **最大栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V 至 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流(ID)**:6A
- **技术**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **应用领域**:低功率电源管理、移动设备、电池管理、通信模块等

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **低功率电源管理**
WNM2016-3 TR-VB 的低导通电阻和高效率特点,使其成为低功率电源管理系统的理想选择。该 MOSFET 能有效地减少电力损耗,广泛应用于各种低电压电源模块,如电池驱动的便携式设备和微型电源系统。通过采用此 MOSFET,系统可以在低电压和高效率的前提下运行,延长设备的工作时间。

2. **移动设备**
在智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等移动设备中,WNM2016-3 TR-VB MOSFET 被用作电池管理和功率转换模块。它的低导通电阻和小尺寸封装(SOT23-3)非常适合紧凑型设计,能够帮助降低功耗并提高电池的使用效率,是移动设备电源管理系统中的理想选择。

3. **通信模块**
该 MOSFET 同样适用于各种通信模块中,尤其是低功率射频(RF)设备和通信硬件。在这些应用中,WNM2016-3 TR-VB 可用于电源调节和功率放大器的开关电源部分,帮助实现快速响应和高效能,保证通信设备在高频工作环境下保持稳定。

4. **电池管理系统(BMS)**
由于其优异的导电性能和低阈值电压,WNM2016-3 TR-VB 特别适用于电池管理系统中,尤其是锂电池的充放电控制。它能有效调节电池的充电电流和电压,确保电池在不同工作条件下都能得到高效管理,从而提高电池的使用寿命和安全性。

5. **LED 驱动电源**
在 LED 驱动电源中,WNM2016-3 TR-VB 可作为开关元件,进行高效的电流控制和电源转换。由于其低导通电阻和高电流承载能力,它能够有效提高LED灯具的能效,保证长时间高效稳定运行。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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