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VSL080N06MS-VB 产品详细

产品简介:

VSL080N06MS-VB MOSFET 产品简介

**VSL080N06MS-VB** 是一款单N通道MOSFET,采用紧凑型SOT23-3封装,设计用于低功耗、高效能的电源管理、负载开关和信号切换应用。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为60V,最大漏电流(ID)为5.5A,提供较低的导通电阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V时为33mΩ,在VGS=10V时为30mΩ。VSL080N06MS-VB采用Trench技术,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于要求高效能、低功耗的小型化电路设计中,尤其适合用于手机、便携设备、电池管理等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 5.5A 30mΩ
VSL080N06MS-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N通道
- **VDS(漏源电压)**: 60V
- **VGS(栅源电压)**: ±20V
- **Vth(栅极阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **ID(最大漏电流)**: 5.5A
- **技术类型**: Trench(槽型技术)

领域和模块应用:

VSL080N06MS-VB MOSFET 应用领域和模块

**1. 便携式电子设备**
由于VSL080N06MS-VB具有低导通电阻和小巧的SOT23-3封装,它特别适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和其他手持设备中的电源管理系统。低RDS(ON)特性确保了这些设备在充电、放电和待机模式下的高效能,延长电池使用寿命。

**2. 电池管理系统**
该MOSFET在电池管理系统中的应用非常广泛,特别是用于电池充电、保护和电池放电控制。VSL080N06MS-VB可以有效地管理充电和放电电流,减少电池管理模块的热损耗,提高电池使用效率,并保护电池免受过电流的损害。

**3. 低功耗开关电源**
VSL080N06MS-VB的低导通电阻使其适用于低功耗开关电源(SMPS)设计。在高效电源转换过程中,它能够提供极低的能量损耗,提升电源的整体效率,广泛应用于低功耗电源模块、USB电源适配器、DC-DC转换器等。

**4. 无线通信模块**
在无线通信系统中,如蓝牙、Wi-Fi模块等,VSL080N06MS-VB可以作为高效能的开关元件,用于信号切换和电源管理。由于其快速开关速度和低导通电阻,它能够提高信号的传输效率和减少功耗,适用于通信设备中的高频开关和功率控制。

**5. 智能家居与物联网设备**
在智能家居和物联网(IoT)设备中,VSL080N06MS-VB常用于低功耗电池供电的设备,例如智能传感器、照明控制模块等。由于其小型封装和低功耗特性,它非常适合用于电池供电的智能设备,能够在减少功耗的同时确保可靠的开关控制和长时间稳定运行。

**6. 负载开关与负载保护**
VSL080N06MS-VB也可以广泛应用于负载开关和保护电路中,尤其是在需要小型、低功耗且可靠的开关元件的应用中。通过控制电源的开关,该MOSFET能够在负载保护和电源切换中起到重要作用,例如在USB供电设备、电池充电器等电源管理系统中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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