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VSC045N04MS-VB 产品详细

产品简介:

产品简介(VSC045N04MS-VB)

**VSC045N04MS-VB** 是一款单 N 通道 MOSFET,采用小巧的 **SOT23-3** 封装,适用于低电压和中等电流的应用场景。该 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON)),即使在较低的门源电压(VGS=4.5V)下,RDS(ON) 仍为 40mΩ,并在 VGS=10V 时降低至 35mΩ,从而实现更低的功率损失和更高的效率。其最大漏源电压(VDS)为 40V,适合低电压应用,最大漏电流(ID)为 4.8A,适用于负载相对较小的电路。

该 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 1.8V,能够在较低的驱动电压下开启,适合用于电池驱动的系统或低电压控制系统。小封装、低功耗特性使其广泛应用于便携式设备、低功耗电源和信号放大等系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 40V 20(±V) 1.8V 4.8A 35mΩ
详细参数说明

- **型号**: VSC045N04MS-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 通道
- **漏源电压(VDS)**: 40V
- **门源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 40mΩ @ VGS = 4.5V
- 35mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续电流(ID)**: 4.8A
- **技术类型**: Trench 技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C(典型值)
- **开关速度**: 高速开关,适合高频应用
- **热阻**: 低热阻设计,优化散热性能

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **低功耗电源管理**:
- **VSC045N04MS-VB** 适用于低功耗电源系统,特别是在电池供电的设备中,通过低导通电阻减少功率损失,从而延长电池的使用时间。其阈值电压较低(1.8V),可以在低电压环境中高效工作,因此在便携式电源和嵌入式系统中应用广泛,如手持设备、无线传感器和可穿戴设备。

2. **便携式电子设备**:
- 该 MOSFET 的小封装(SOT23-3)非常适合应用于空间有限的便携式电子设备中。在智能手机、平板电脑、手表和其他便携设备的电源管理模块中,**VSC045N04MS-VB** 可以用于开关电源、DC-DC 转换器以及电池充电管理等系统中,提供高效的电流控制和能量转换。

3. **信号开关和开关模式电源(SMPS)**:
- **VSC045N04MS-VB** 的高速开关特性使其适用于高频开关模式电源(SMPS)中,特别是在低功率的转换器、升降压电源(Buck/Boost converters)中。该 MOSFET 通过提供低的 RDS(ON) 使电源的效率大大提升,并减少散热需求,适合在中低功率的电源应用中提供稳定的电压输出。

4. **低电压控制电路**:
- 在低电压控制电路中,**VSC045N04MS-VB** 通过其低阈值电压(1.8V)和低导通电阻特性,能够有效地用于微控制器、FPGAs 或其他数字电路的电源切换和控制应用。它能够提供快速响应并精确地调节电流,从而提高系统的整体性能,尤其在高频数字电路中尤为重要。

5. **信号放大器和低功耗放大电路**:
- 由于其小封装和高效能,**VSC045N04MS-VB** 也适用于用于低功耗信号放大器、射频(RF)放大器和小型音频放大电路中。其优异的开关性能和低功耗特性使其非常适合这些要求高频信号处理和电流控制的应用。

6. **LED驱动电路**:
- 在LED驱动电路中,尤其是对于需要高效电源管理的小型LED照明设备,**VSC045N04MS-VB** 可以作为电流控制元件,调节LED的亮度并确保其稳定运行。低RDS(ON)和高开关速度有助于减少LED驱动过程中的能量损耗,提升系统效率。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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