产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
2. 详细参数说明
- **型号**：VN10LF-VB
- **封装**：SOT23-3
- **配置**：单极N沟道
- **VDS（漏源电压）**：60V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vth（阈值电压）**：1.7V
- **RDS(ON)**：
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏极电流）**：0.3A
- **技术**：Trench
- **最大功率损耗**：相对较高的RDS(ON)，适用于低电流应用
- **工作温度范围**：-55°C 到 +150°C
- **特性**：低漏源电压、低电流负载、适合高频应用
领域和模块应用：
3. 适用领域和模块示例
**低功率电源开关**
**VN10LF-VB** 非常适合用于低功率电源开关，尤其是在信号处理和低功率电子产品中。由于其较高的RDS(ON)，它在低电流应用中仍能有效控制电流流动，尤其适用于电池供电的小型设备中，提供可靠的电源切换和控制。
总结
**VN10LF-VB** 是一款适用于低功率、高效能应用的N沟道MOSFET，特别适合用在电池供电的小型设备、低电流负载控制和消费电子产品中。其较高的RDS(ON)适合处理低电流负载，广泛应用于电源管理、信号开关、负载控制等场合。其紧凑的封装和高频特性，使其成为低功耗电路设计中的理想选择。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
立即下载
中文
English
返回上级页面
