产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20(±V) |
1.7V |
0.3A |
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2800mΩ |
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详细参数说明
- **型号**: VN10LFTA-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **最大功率耗散**: 300mW(取决于散热条件)
- **结温范围**: -55°C 至 +150°C
- **技术**: Trench 技术
- **特点**:
- 低漏极电流负载能力,适用于小功率应用
- 小型 SOT23-3 封装,节省空间
- 栅极阈值电压低,适合低电压驱动电路
- 适用于低功耗电子设备
- 优良的开关性能和低功率损耗
领域和模块应用:
应用领域和模块举例
1. **低功耗便携式设备**
VN10LFTA-VB 适用于各种低功耗便携式电子设备,特别是在空间受限的设备中,如传感器模块、蓝牙设备和智能手表等。由于其小型封装(SOT23-3)和低漏极电流负载能力,该 MOSFET 可以高效地驱动小型负载,优化能耗并延长电池寿命。它还可以用于调节和控制低功率电流流动。
2. **电池供电的电源管理系统**
在电池供电的电源管理系统中,VN10LFTA-VB 可以用于负载切换和功率控制。由于其高电压耐受性和低功率损耗特性,该 MOSFET 适合用于电池管理系统(BMS)中,控制电池的充放电过程和提高系统的能效。在低功率应用中,这种 MOSFET 的高效性可以减少电池的损耗并延长电池使用寿命。
3. **消费类电子产品**
VN10LFTA-VB 可广泛应用于各种消费类电子产品,如小型无线设备、便携音响、智能灯具等。该 MOSFET 具有适合小电流负载的特性,可以高效控制这些设备的电源开关和电流路径,尤其是在需要紧凑设计和高效控制的应用中。
4. **过载保护电路**
在一些过载保护电路中,VN10LFTA-VB 可作为开关元件来保护其他电路组件。其较高的最大漏源电压(60V)和低电流承载能力使其成为中低功率电路中常见的选择,用于保护电流过载的情况,避免损坏其他重要电路。
5. **低功率电机驱动**
VN10LFTA-VB 在低功率电机驱动应用中也有潜力,特别是在低电压小型电机(如微型风扇、精密马达等)中,使用此 MOSFET 可有效地控制电流流向电机,优化电机的启停控制,并减少功耗。
6. **通信模块和无线传输设备**
在无线通信设备中,如无线传感器、短距离通信模块(例如蓝牙或 Zigbee 模块)中,VN10LFTA-VB 可用于控制通信电流和电源切换。其小型封装和低功耗特性,使其成为适用于短时间内需要快速切换和控制电流的无线设备中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性