推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

UT3N01ZL-AE3-R-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**UT3N01ZL-AE3-R-VB** 是一款 **单N通道MOSFET**,采用 **SOT23-3封装**,专为低功率、高效的开关应用设计。该MOSFET具有 **最大漏极源极电压(VDS)为60V**,适用于中等电压应用。其 **门限电压(Vth)** 为 **1.7V**,能够在较低的栅极电压下启用开关,且由于采用 **Trench技术**,具备较低的 **导通电阻(RDS(ON))**,保证了高效的导电性能。尽管该MOSFET的最大漏极电流为 **0.3A**,但其设计依然能够满足低功耗、低电流应用中的高效需求。该器件适合用于 **小型开关电源**、**负载开关** 以及其他需要低电流和小封装的应用场景。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**:UT3N01ZL-AE3-R-VB
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单N通道
- **最大漏极源极电压(VDS)**:60V
- **最大栅极源极电压(VGS)**:±20V
- **门限电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3100mΩ@VGS=4.5V
- 2800mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:0.3A
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(典型值)

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

1. **小型电源管理系统**
- UT3N01ZL-AE3-R-VB 在 **小型电源管理系统** 中非常有用,尤其适合 **低功耗电源** 和 **便携式电子设备**。其最大漏极电压为 **60V**,使其适用于一些低压开关电源应用,比如 **充电器**、**电池管理系统(BMS)** 和 **USB电源**。它能够高效地进行电压转换,并保证电源管理系统的稳定性。

2. **负载开关**
- 由于其小巧的 **SOT23-3封装**,UT3N01ZL-AE3-R-VB 非常适合用于 **负载开关** 应用,尤其是在 **低功耗设备** 中。在这些应用中,MOSFET作为开关元件来控制电流的流动,例如用于控制 **低功率LED灯**、**电池驱动设备** 和其他需要高效开关的电路。

3. **低功率开关电路**
- UT3N01ZL-AE3-R-VB 适合于 **低功率开关电路**,如 **小型家电** 和 **低功耗电子设备** 中。其 **低门限电压(Vth)** 和 **低导通电阻(RDS(ON))** 保证了在低栅压下的高效工作,适合用于这些电路中提供快速响应和低功耗操作。

4. **移动设备**
- 在 **移动设备**(如智能手机、可穿戴设备等)中,UT3N01ZL-AE3-R-VB 的 **小型封装** 和 **低电流承载能力** 使其成为理想选择。其低 **RDS(ON)** 保证了在有限空间内的高效开关功能,适用于这些设备中的电源管理、负载控制等方面。

5. **传感器电路**
- 由于其较低的工作电流(最大漏极电流为 **0.3A**),UT3N01ZL-AE3-R-VB 也适合用于 **传感器电路**,尤其是在需要精确控制电流并保持低功耗的传感器模块中。比如用于 **温湿度传感器**、**气体传感器** 和其他低功耗传感器设备中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询