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UT3N01ZL-AE2-R-VB 产品详细

产品简介:

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**UT3N01ZL-AE2-R-VB** 是一款采用 SOT23-3 封装的单通道 N 型 MOSFET,适用于低功率、高开关频率的应用场合。该器件具有 60V 的漏源电压(VDS)额定值,能够适应中等电压的工作环境。其开启电压(Vth)为 1.7V,适合在低电压驱动下工作,具有较好的开关特性。采用 Trench 技术,UT3N01ZL-AE2-R-VB 具有较低的导通电阻(RDS(ON)),最大漏电流为 0.3A,适合用于低功耗电源、负载开关、过流保护等应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明:

- **型号**: UT3N01ZL-AE2-R-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 N 型
- **VDS(漏源电压)**: 60V
- **VGS(栅源电压)**: 20V(±)
- **Vth(开启电压)**: 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **ID(最大漏电流)**: 0.3A
- **技术**: Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域与模块举例:

1. **低功耗电源管理**
UT3N01ZL-AE2-R-VB 适用于低功耗电源管理电路,特别是在需要低电压驱动的应用中,如便携式电子设备(如智能手表、传感器、无线设备)等。由于其较低的导通电阻和低开启电压,它能够高效地处理小电流,延长电池使用寿命。

2. **电池供电设备的负载开关**
在电池供电的设备中,UT3N01ZL-AE2-R-VB 可作为负载开关,控制设备的开关状态。其低导通电阻和较低的漏电流能够确保设备在工作时保持高效率,并有效减少待机功耗,适合应用于低功耗的手持设备、智能家居等领域。

3. **过流保护与电源开关**
该 MOSFET 适合用作过流保护电路中的开关元件。UT3N01ZL-AE2-R-VB 的较高电流承载能力(最大 0.3A)和低开启电压特性使其可以快速响应电流过载,从而有效保护其他敏感电路免受损害。它在电池管理、过电流保护及电源开关等应用中具有较高的性价比。

4. **电动玩具与小型电机驱动系统**
在低功率的电动玩具和小型电机驱动系统中,UT3N01ZL-AE2-R-VB 可以作为驱动开关。其较小的封装(SOT23-3)适合于空间受限的应用,同时能够承受高频开关,减少功耗。它能够提供稳定的开关操作,适用于电动玩具、模型车等低功率电机控制系统。

5. **传感器和控制系统**
该 MOSFET 可广泛应用于低功耗的传感器和控制系统,尤其是在工业自动化、环境监测设备和智能控制模块中。由于其较低的导通电阻和较高的开关频率,它可以在这些低功率控制系统中实现高效能和可靠的控制。

6. **物联网设备(IoT)**
UT3N01ZL-AE2-R-VB 在物联网(IoT)设备中有广泛应用,尤其是在需要高效电源管理和负载控制的场景下,如智能传感器、智能家居设备等。低电流负载和高频开关能力使其成为 IoT 电池供电设备的理想选择。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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