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UT3N01ZG-AE3-R-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**UT3N01ZG-AE3-R-VB** 是一款采用 SOT23-3 封装的单N通道MOSFET,设计用于低功耗和小型化应用。该MOSFET具有60V的最大漏源电压(V_DS)和最大漏极电流0.3A,适合用于要求高效能和紧凑封装的电路中。UT3N01ZG-AE3-R-VB采用Trench技术,提供较低的导通电阻和较高的开关效率。虽然它的电流容量相对较低,但其高导电性和较低的导通电阻使其在低电流、高电压应用中表现优异,广泛应用于便携式设备、电源管理和信号处理等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**:UT3N01ZG-AE3-R-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N通道
- **V_DS(漏源电压)**:60V
- **V_GS(栅源电压)**:±20V
- **V_th(阈值电压)**:1.7V
- **R_DS(ON)(导通电阻)**:
- 2800mΩ(V_GS = 10V)
- 3100mΩ(V_GS = 4.5V)
- **I_D(漏极电流)**:0.3A
- **技术**:Trench技术

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **便携式消费电子产品**
由于UT3N01ZG-AE3-R-VB采用了紧凑的SOT23-3封装,非常适合应用于需要节省空间的便携式设备中。它可以用作开关元件,在移动电话、平板电脑、手表、耳机等设备中控制电池管理、电源切换和低功耗模式。

2. **低功耗电源管理**
该MOSFET的低导通电阻和适中的电流处理能力使其成为低功耗电源管理电路中的理想选择。例如,在低功耗的DC-DC转换器和电源调节模块中,UT3N01ZG-AE3-R-VB可以作为高效的开关元件,提供稳定的电流流动,并最大程度降低能量损失。

3. **电池管理系统**
在电池驱动的设备中,UT3N01ZG-AE3-R-VB可用于电池充放电管理。特别是在需要高效、精准控制电流的低电流电池管理系统中,该MOSFET能够提供可靠的开关功能,保护电池不受过充和过放影响。

4. **信号调节与切换**
UT3N01ZG-AE3-R-VB的低电流容量使其非常适合用于信号调节与切换应用。它可以用于无线通信设备、传感器模块和音频设备中,作为信号开关来实现信号路由和控制。

5. **LED驱动与显示系统**
在LED驱动器和显示控制系统中,UT3N01ZG-AE3-R-VB可以作为小功率开关元件,控制LED灯的开关以及亮度调节。它能够在较低的电流下工作,确保高效能和稳定性,特别适用于小型显示器、背光系统和照明应用。

6. **智能家居与物联网设备**
UT3N01ZG-AE3-R-VB的低功耗特性使其在智能家居设备和物联网(IoT)应用中非常有用。它可用于传感器控制、电池供电的监控设备、智能开关和小型电动执行器中。通过其高效的电流开关和小型封装,它能确保长时间稳定运行,同时降低能耗。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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