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UMBF170-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**UMBF170-VB** 是一款高效的单极N沟MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低功率应用设计。其具有60V的漏极-源极电压(VDS),适合中低电压的开关和电流控制任务。该产品的阈值电压(Vth)为1.7V,适用于低电压控制的应用,并能在较低的栅源电压下有效开关。导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为2800mΩ,在VGS=4.5V时为3100mΩ,提供较低的电能损耗和良好的电流传输效率。UMBF170-VB的最大漏极电流(ID)为0.3A,非常适合低功率小电流控制场景。该型号采用**Trench技术**,有效减少开关损耗,提高工作效率。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

| 参数 | 数值 |
|-----------------------|---------------|
| **封装类型** | SOT23-3 |
| **配置** | 单极N沟MOSFET |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 60V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 3100mΩ@VGS=4.5V|
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2800mΩ@VGS=10V|
| **最大漏极电流 (ID)** | 0.3A |
| **技术类型** | Trench技术 |

领域和模块应用:

产品应用领域与模块举例

1. **低功率电源开关与电流控制**:
UMBF170-VB 的低漏极-源极电压和较低的导通电阻使其适用于低功率电源开关和电流调节应用。在低功耗电源模块、充电器以及便携式设备中,该MOSFET可以作为高效开关元件,用于优化电源管理和延长电池使用寿命。它能够在较低电压和电流范围内提供可靠的开关和导通功能。

2. **LED驱动电路**:
在LED驱动电路中,UMBF170-VB可以用作开关元件,控制LED的开关频率和亮度调节。由于其低电阻特性和高效的电流传输能力,该MOSFET可以有效降低LED驱动电路的功耗,保持稳定的输出功率,特别适合用于节能型LED灯具和背光源应用。

3. **小型电池管理系统**:
在电池管理系统(BMS)中,UMBF170-VB可用于电池的电流调节和保护。其较低的导通电阻减少了功率损耗,非常适合用于需要精确控制电流和电压的小型电池系统。特别适用于手机、手持设备以及低功率的可穿戴设备等消费电子产品。

4. **信号开关与模拟开关电路**:
UMBF170-VB 也可以应用于信号开关和模拟开关电路中,尤其是在低电压应用场合。在数据传输、信号路由和音频信号处理等模块中,它能够提供快速且稳定的开关功能,以保证信号的传输质量并减少噪声干扰。

5. **传感器模块与低功耗通信设备**:
在传感器模块和低功耗无线通信设备中,UMBF170-VB适合用于电源管理和信号开关功能。由于其低功耗特性,UMBF170-VB可以优化传感器和无线通信模块的功耗,延长设备的工作时间,尤其适合应用于智能家居、物联网(IoT)设备以及各种环境监测传感器中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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