产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20(±V) |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
详细参数说明
- **型号**:UMBF170L-AE3-R-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道 MOSFET
- **漏源电压(V_DS)**:60V
- **栅源电压(V_GS)**:±20V
- **开启电压(V_th)**:1.7V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 3100mΩ(V_GS = 4.5V)
- 2800mΩ(V_GS = 10V)
- **漏电流(I_D)**:0.3A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大功率耗散**:500mW(根据实际工作环境和热设计决定)
领域和模块应用:
应用领域与模块示例
**1. 电池管理系统:**
UMBF170L-AE3-R-VB 的低导通电阻和高电压处理能力,使其非常适合在电池管理系统中作为开关元件使用。在电池的充放电管理、保护电路中,MOSFET 可以有效地控制电流流向,同时减少功率损耗,延长电池寿命并提高系统效率。
**2. 低功耗开关电路:**
该 MOSFET 具有 0.3A 的漏电流承载能力,适用于低功率开关电路,如微型设备中的信号开关。在微控制器驱动的设备中,作为快速开关,UMBF170L-AE3-R-VB 可以在低功耗的要求下稳定工作,确保系统的可靠性和响应速度。
**3. 电源管理系统:**
UMBF170L-AE3-R-VB 具有较低的导通电阻和高效的 Trench 技术,适用于各种电源管理系统,尤其是在小型 DC-DC 转换器中作为开关元件。MOSFET 可以有效减少能量损耗,提高转换效率,使其非常适合便携式电源设备,如智能手表、移动电源和便携式充电器。
**4. 无线通信设备:**
在无线通信设备中,UMBF170L-AE3-R-VB 可作为功率开关或信号调节元件。例如,在射频(RF)电路中作为开关元件,能够在信号调制过程中快速稳定地切换,保证数据传输的高效性和稳定性。
**5. 传感器和低功耗微控制器系统:**
UMBF170L-AE3-R-VB 由于其小巧的封装和低功耗特性,适用于传感器和低功耗微控制器系统中。例如在智能家居系统、环境监测传感器等设备中,MOSFET 可用作电源控制和信号切换元件,有效提升整体系统的能效和响应速度。
通过这些应用示例,可以看出 **UMBF170L-AE3-R-VB** 作为低功率应用中的高效能 MOSFET,适用于电源管理、开关电路以及低功耗控制系统等多个领域,在智能设备和电子系统中具有广泛的应用前景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性