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UMBF170L-AE3-R-VB 产品详细

产品简介:

UMBF170L-AE3-R-VB MOSFET 产品简介

**UMBF170L-AE3-R-VB** 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 通道 MOSFET,专为低功率、高效能的电子应用设计。其最大漏源电压(V_DS)为 60V,适用于中等电压范围的电路。该 MOSFET 的栅源电压(V_GS)为 ±20V,能够在宽广的电压范围内稳定工作。它具有 1.7V 的开启电压(V_th),即使在较低的栅电压下也能快速开启,确保更高效的工作性能。

UMBF170L-AE3-R-VB 基于 Trench 技术制造,这种技术能显著降低 MOSFET 的导通电阻(R_DS(ON)),从而减少功率损耗并提高电路效率。在 V_GS=4.5V 时,导通电阻为 3100mΩ,而在 V_GS=10V 时为 2800mΩ。该 MOSFET 具有较高的稳定性和可靠性,适合应用于需要较低电流控制的电路中。其最大漏电流(I_D)为 0.3A,适合用于中低功率电子设备中,具有优良的负载能力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**:UMBF170L-AE3-R-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道 MOSFET
- **漏源电压(V_DS)**:60V
- **栅源电压(V_GS)**:±20V
- **开启电压(V_th)**:1.7V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 3100mΩ(V_GS = 4.5V)
- 2800mΩ(V_GS = 10V)
- **漏电流(I_D)**:0.3A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大功率耗散**:500mW(根据实际工作环境和热设计决定)

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

**1. 电池管理系统:**
UMBF170L-AE3-R-VB 的低导通电阻和高电压处理能力,使其非常适合在电池管理系统中作为开关元件使用。在电池的充放电管理、保护电路中,MOSFET 可以有效地控制电流流向,同时减少功率损耗,延长电池寿命并提高系统效率。

**2. 低功耗开关电路:**
该 MOSFET 具有 0.3A 的漏电流承载能力,适用于低功率开关电路,如微型设备中的信号开关。在微控制器驱动的设备中,作为快速开关,UMBF170L-AE3-R-VB 可以在低功耗的要求下稳定工作,确保系统的可靠性和响应速度。

**3. 电源管理系统:**
UMBF170L-AE3-R-VB 具有较低的导通电阻和高效的 Trench 技术,适用于各种电源管理系统,尤其是在小型 DC-DC 转换器中作为开关元件。MOSFET 可以有效减少能量损耗,提高转换效率,使其非常适合便携式电源设备,如智能手表、移动电源和便携式充电器。

**4. 无线通信设备:**
在无线通信设备中,UMBF170L-AE3-R-VB 可作为功率开关或信号调节元件。例如,在射频(RF)电路中作为开关元件,能够在信号调制过程中快速稳定地切换,保证数据传输的高效性和稳定性。

**5. 传感器和低功耗微控制器系统:**
UMBF170L-AE3-R-VB 由于其小巧的封装和低功耗特性,适用于传感器和低功耗微控制器系统中。例如在智能家居系统、环境监测传感器等设备中,MOSFET 可用作电源控制和信号切换元件,有效提升整体系统的能效和响应速度。

通过这些应用示例,可以看出 **UMBF170L-AE3-R-VB** 作为低功率应用中的高效能 MOSFET,适用于电源管理、开关电路以及低功耗控制系统等多个领域,在智能设备和电子系统中具有广泛的应用前景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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