产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
详细参数说明
- **型号**：UK3019L-AE3-R-VB
- **封装类型**：SOT23-3
- **配置**：单 N 通道 MOSFET
- **漏源电压（V_DS）**：60V
- **栅源电压（V_GS）**：±20V
- **开启电压（V_th）**：1.7V
- **导通电阻（R_DS(ON)）**：
- 3100mΩ（V_GS = 4.5V）
- 2800mΩ（V_GS = 10V）
- **漏电流（I_D）**：0.3A
- **技术**：Trench 技术
- **工作温度范围**：-55°C 至 +150°C
- **功率耗散**：最大功率耗散为 500mW（取决于应用场景）
领域和模块应用：
应用领域与模块示例
**1. 电源管理系统：**
UK3019L-AE3-R-VB 的低导通电阻和高稳定性使其在电源管理系统中非常适用。例如，在DC-DC转换器中，作为开关元件，它能有效减少转换损耗，提高系统效率。
**2. 低功率电源控制：**
由于其较低的导通电阻和较小的漏电流，UK3019L-AE3-R-VB 非常适合低功率电源系统，特别是在便携式设备、移动电源等领域的电池供电设备中，能够优化能量使用并延长电池寿命。
**3. 电子开关：**
在低功率开关电路中，UK3019L-AE3-R-VB 可作为信号开关使用。例如，在传感器模块或微控制器控制的开关电路中，MOSFET 可以有效地开关信号或电流，确保电路的高效运行。
**4. 可穿戴设备：**
在可穿戴设备中，体积和功率的限制要求使用高效的小型元件。UK3019L-AE3-R-VB 的小巧封装和低功耗特性，使其非常适用于智能手表、健康监测设备等领域，帮助延长设备的续航时间。
**5. 电池保护电路：**
由于其适用的高栅电压（±20V）和较低的导通电阻，UK3019L-AE3-R-VB 可以用于电池保护电路中，如过充、过放电保护模块，提供稳定的开关操作，保障电池安全。
通过这些应用示例，我们可以看到 UK3019L-AE3-R-VB MOSFET 在低功率电子设备和高效电源管理中的重要作用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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