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UK3018G-AL3-R-VB 产品详细

产品简介:

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**UK3018G-AL3-R-VB** 是一款采用 SOT23-3 封装的单极 N 沟道 MOSFET,具有宽电压承受范围(VDS:60V),适合低功率、低电流的开关应用。此款 MOSFET 的最大漏极电流为 0.3A,具有优异的导通阻抗性能(RDS(ON) = 3100mΩ @ VGS=4.5V 和 2800mΩ @ VGS=10V)。它的栅极-源极电压(VGS)为 20V(±),开启阈值电压(Vth)为 1.7V,具备良好的 Trench 技术结构。适用于各种低功耗电路、便携式设备和负载控制模块,特别是在高效能、低功耗要求的环境中,发挥着重要的作用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明:

- **型号**:UK3018G-AL3-R-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单极 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域与模块举例:

1. **便携式电子设备**:UK3018G-AL3-R-VB MOSFET 适用于便携式设备,如智能手表、蓝牙耳机等。由于其较低的导通阻抗和优异的开关性能,可以有效地减少功耗,从而延长电池寿命。

2. **电池供电系统**:这款 MOSFET 可应用于电池管理系统(BMS)中,特别是在低电流需求的充电和放电控制电路中。其低的导通电阻使得在电池充电时能有效减少功率损耗,提高系统效率。

3. **负载开关**:在许多低功率负载控制模块中,UK3018G-AL3-R-VB MOSFET 可用于负载的高效开关控制。无论是开关电源中的高频开关,还是小型电机的驱动,MOSFET 都能提供可靠的开关性能。

4. **通信设备**:该 MOSFET 适用于无线通信设备的射频电路及低功耗传输系统,提供高效的电源开关性能。

5. **低功耗传感器系统**:在传感器应用中,UK3018G-AL3-R-VB 适合用于低功耗模式下的传感器开关,确保系统整体功耗最低,延长工作时间。

6. **小型电路板设计**:由于其小巧的 SOT23-3 封装,适合用于小型电子产品和紧凑型电路板的设计,特别是那些对空间和功耗有严格要求的应用场景。

通过其优良的电气特性和高效能,UK3018G-AL3-R-VB 在多种现代电子设备和模块中都能够发挥至关重要的作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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