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UK3018G-AE2-R-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**UK3018G-AE2-R-VB** 是一款单极 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,适用于低功率电子设备中,尤其是那些对尺寸和效率有较高要求的应用。其具有较低的 RDS(ON),使其在低电压下也能提供良好的导通性能。此款 MOSFET 支持最高 60V 的漏极-源极电压(VDS)和 ±20V 的栅极-源极电压(VGS)。其具备优良的开关特性和较低的导通阻抗,使其在电源管理和小型化电路中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置类型**:单极 N 型
- **漏极-源极电压(VDS)**:60V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:0.3A
- **技术类型**:Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **低功率电源管理**:
由于其较低的导通电阻和高效的开关性能,UK3018G-AE2-R-VB 可广泛应用于低功率电源管理系统中,例如便携式设备和电池供电的电路。它能够有效地控制电源开关,提高效率,减少能量损耗,特别适合需要高效、稳定电源的应用场景。

2. **智能卡片和传感器模块**:
该 MOSFET 可用于智能卡片和低功耗传感器模块中,在这些应用中通常需要较小的电流控制和快速开关能力。它的紧凑尺寸和稳定的开关特性使其成为这些领域的理想选择。

3. **小型电子设备**:
在小型消费电子设备中,如手表、便携式音响和其他个人电子产品中,UK3018G-AE2-R-VB 能够提供精确的电流控制和高效的电源开关功能。其小尺寸和低导通电阻使其适合紧凑型电路设计。

4. **LED驱动电路**:
在LED照明系统中,UK3018G-AE2-R-VB 可用于LED驱动电路,尤其是在需要低电流、低功率损耗的场合。由于其较低的导通电阻,它有助于提升电流控制精度,并改善系统的整体效率。

5. **无线通信设备**:
对于无线通信设备(如蓝牙设备和Wi-Fi模块),该 MOSFET 可用于开关电源模块和功率放大器的电流控制,提供高效的信号处理和低功率消耗,适合要求低电流的无线系统。

这款 MOSFET 由于其出色的开关特性、较低的导通电阻以及紧凑的封装,适用于多种低功率电子应用,尤其是在需要精确电流控制和小型化设计的场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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