产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-P |
-30V |
20(±V) |
-1.7V |
-5.6A |
|
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46mΩ |
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2. **详细参数说明:**
- **型号**:TSM2323CX RF-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单P沟道(Single-P-Channel)
- **漏源电压(V_DS)**:-30V
- **栅极-源极电压(V_GS)**:±20V
- **阈值电压(V_th)**:-1.7V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 54mΩ(在V_GS=4.5V时)
- 46mΩ(在V_GS=10V时)
- **最大漏电流(I_D)**:-5.6A
- **技术类型**:Trench
- **最大功率损耗**:根据实际工作条件(环境温度、散热方案等)评估
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C
- **开关速度**:适用于高频率开关应用,低开关损耗
- **漏极-源极电压最大值**:-30V,适用于低电压应用
- **栅极驱动电压范围**:±20V,适应多种控制电压需求
领域和模块应用:
3. **应用领域和模块示例:**
1. **低电压开关电源(SMPS)**
TSM2323CX RF-VB 是一款理想的P沟道MOSFET,适用于低电压开关电源系统(SMPS)。它的低导通电阻(R_DS(ON))和较高的漏电流能力(-5.6A)使其能够在低电压范围内高效地工作,尤其适合于3.3V至5V电压系统的高效电源转换和管理。
2. **反向电流控制**
在需要反向电流控制的系统中,TSM2323CX RF-VB 可作为理想的反向电流开关。由于其P沟道结构和较低的导通电阻,能够高效地处理反向电流,广泛应用于电池保护、反向电流检测和防护电路中,尤其适用于不希望在电源方向发生电流逆流的场合。
3. **LED驱动电路**
TSM2323CX RF-VB 适用于LED驱动电路中,特别是在反向电流和低电压控制的场合。其较低的导通电阻和较高的电流能力使得该MOSFET非常适合驱动多个LED灯珠或灯条,在提供稳定电流的同时减少功率损耗和发热。
4. **负载开关控制**
在负载开关控制电路中,TSM2323CX RF-VB具有较低的导通电阻,使其在开关负载时能够高效控制电流,适合用于各种低功率负载控制,如在便携式电源、无线设备或其他低功率控制应用中的负载切换。
5. **电池供电设备**
由于其最大漏电流为-5.6A,TSM2323CX RF-VB在电池供电的设备中表现出色,尤其是用于需要反向电流保护的电池管理系统(BMS)。在电池充电器、电动工具以及移动电源系统中,该MOSFET能够提供低损耗、高效的电源开关功能,确保电池系统的稳定性和安全性。
6. **汽车电子系统**
在汽车电子中,TSM2323CX RF-VB 可用于低电压的电源管理模块,例如车载传感器、音响系统及其他辅助电源模块。它的低导通电阻和较高的电流能力使其非常适合处理小型负载开关、保护电路以及车载电子设备的电源转换。
7. **电机驱动控制**
在小型电机驱动控制系统中,TSM2323CX RF-VB可作为开关元件,用于驱动直流电机或步进电机。其高效的开关特性和较低的R_DS(ON)有助于提高电机控制系统的效率,减少功率损耗。
8. **通信设备电源管理**
TSM2323CX RF-VB广泛应用于无线通信设备和基站的电源管理系统。在射频电源、无线基站、电信设备电源模块等应用中,该MOSFET能够以较低的开关损耗进行高效电流控制,确保稳定的电源供应。
综上所述,TSM2323CX RF-VB是一款适用于低电压应用的P沟道MOSFET,具有低导通电阻和较高的漏电流能力。它广泛应用于低电压开关电源、LED驱动、反向电流控制、负载开关、无线设备、汽车电子、以及电池供电设备等领域。其高效能特性使其成为多种电源管理、负载控制和电流保护电路中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性