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TSM2312CX RF-VB 产品详细

产品简介:

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TSM2312CX RF-VB是一款高效N沟MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低电压、大电流应用设计。该MOSFET的最大漏极-源极电压(VDS)为20V,适用于低压功率开关和信号处理应用。其门极-源极阈值电压(Vth)范围为0.5V~1.5V,能够在较低的门极电压下开启,适合低功耗和高效控制的应用。TSM2312CX RF-VB的RDS(ON)值在VGS=2.5V时为42mΩ,VGS=4.5V时为28mΩ,这使得其具有出色的导通性能,并能有效降低功率损耗。其最大漏极电流(ID)为6A,能够承受较大的电流负载,适用于小型设备和便携式应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
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- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **VDS**: 20V
- **VGS**: ±12V
- **Vth**: 0.5V ~ 1.5V
- **RDS(ON)**: 42mΩ @ VGS=2.5V
- **RDS(ON)**: 28mΩ @ VGS=4.5V
- **ID**: 6A
- **技术**: Trench

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领域和模块应用:

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1. **低压电源管理**:TSM2312CX RF-VB广泛应用于低电压电源管理模块,如移动设备和便携式电源系统。其低阈值电压和低导通电阻特性使其能够在低电压下高效运行,确保系统功率管理的高效性。
2. **无线通信设备**:该MOSFET适用于各种无线通信设备中,尤其是RF信号放大器和开关电路中。由于其较低的导通电阻和高频特性,能够有效降低开关损耗和功率消耗,提升信号处理的效率。
3. **便携式设备**:TSM2312CX RF-VB特别适用于便携式设备,如蓝牙、Wi-Fi模块和智能手机等。其小巧的SOT23封装和高电流承载能力使其在空间受限的设备中提供高效的电流控制。
4. **低功耗传感器系统**:在低功耗传感器应用中,如智能家居设备、物联网(IoT)模块等,TSM2312CX RF-VB能在保证高效工作的同时,保持较低的功耗,适用于需要高效电流开关的传感器系统。
5. **消费电子产品**:该MOSFET也适用于各种消费电子产品的电源调节和控制模块,如电子玩具、移动电池管理系统等,其低电压操作和高效率特性非常适合这些低功耗、高集成度的应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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