产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12(±V) |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
|
|
|
2. 详细的参数说明:
- **型号**:TSM2310CX RF-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N-Channel(Single-N-Channel)
- **耐压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **门极阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ@VGS=2.5V
- 28mΩ@VGS=4.5V
- **最大漏极电流(ID)**:6A
- **开关特性**:低门极电荷,适合高频开关应用
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C(取决于制造商)
- **技术类型**:Trench技术
- **最大功率耗散(Pd)**:根据工作条件和散热环境计算
领域和模块应用:
3. 应用领域及模块示例:
**TSM2310CX RF-VB** 具有低导通电阻、快速开关和高效能特性,适用于多个领域。以下是一些典型应用场景:
# **低功率电源管理**
该MOSFET在**DC-DC转换器**和**电池管理系统(BMS)**中广泛应用,尤其是在便携式设备、电动工具、无线设备等低功率电源管理中。其低导通电阻和高开关频率使得它能有效减少能量损耗,并提高系统的效率和稳定性,适合在**移动设备**、**电动工具**等产品中作为电源开关使用。
# **消费电子产品**
在各种**消费电子产品**中,TSM2310CX RF-VB作为功率开关或信号开关,广泛应用于**智能手机、平板电脑、可穿戴设备**等领域。它能够控制电池管理、音频电路、显示模块和其他低功耗电路,帮助延长电池使用寿命并提高系统效率。
**总结**:
**TSM2310CX RF-VB** 是一款低电压、高效率的N-Channel MOSFET,适用于低功率、低电压的开关应用。它广泛应用于**电源管理、射频开关、智能家居、无线通信设备**、**传感器模块**等领域。其低导通电阻、快速开关特性和高效能使其成为低功率系统中的理想选择,尤其适合在**便携式设备、家居自动化、LED驱动**等应用中发挥重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性