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TSM2310CX RF-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介:
**TSM2310CX RF-VB** 是一款采用**SOT23-3封装**的**单N-Channel MOSFET**,专为低电压、高效率的开关应用设计。该MOSFET具有**20V的耐压(VDS)**,适用于低电压电源控制、负载驱动以及信号处理电路。其栅源电压(VGS)最大支持**±12V**,具有较低的**导通电阻(RDS(ON))**,在不同栅电压下表现出色的开关性能,使其能够在低电压环境下高效运行。

**TSM2310CX RF-VB**的门极阈值电压(Vth)为**0.5V~1.5V**,使其能够在较低的驱动电压下工作,适用于需要低门极电压的应用场景。**导通电阻(RDS(ON))**在**VGS=4.5V时为28mΩ**,在**VGS=2.5V时为42mΩ**,即便在低栅电压下,也能提供低损耗的电流通道。最大漏极电流(ID)为**6A**,使其适合中小功率的负载驱动应用。该MOSFET采用**Trench技术**,优化了开关性能和电流传导特性,降低了开关损耗和导通损耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
2. 详细的参数说明:
- **型号**:TSM2310CX RF-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N-Channel(Single-N-Channel)
- **耐压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **门极阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ@VGS=2.5V
- 28mΩ@VGS=4.5V
- **最大漏极电流(ID)**:6A
- **开关特性**:低门极电荷,适合高频开关应用
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C(取决于制造商)
- **技术类型**:Trench技术
- **最大功率耗散(Pd)**:根据工作条件和散热环境计算

领域和模块应用:

3. 应用领域及模块示例:

**TSM2310CX RF-VB** 具有低导通电阻、快速开关和高效能特性,适用于多个领域。以下是一些典型应用场景:

# **低功率电源管理**
该MOSFET在**DC-DC转换器**和**电池管理系统(BMS)**中广泛应用,尤其是在便携式设备、电动工具、无线设备等低功率电源管理中。其低导通电阻和高开关频率使得它能有效减少能量损耗,并提高系统的效率和稳定性,适合在**移动设备**、**电动工具**等产品中作为电源开关使用。

# **消费电子产品**
在各种**消费电子产品**中,TSM2310CX RF-VB作为功率开关或信号开关,广泛应用于**智能手机、平板电脑、可穿戴设备**等领域。它能够控制电池管理、音频电路、显示模块和其他低功耗电路,帮助延长电池使用寿命并提高系统效率。

**总结**:
**TSM2310CX RF-VB** 是一款低电压、高效率的N-Channel MOSFET,适用于低功率、低电压的开关应用。它广泛应用于**电源管理、射频开关、智能家居、无线通信设备**、**传感器模块**等领域。其低导通电阻、快速开关特性和高效能使其成为低功率系统中的理想选择,尤其适合在**便携式设备、家居自动化、LED驱动**等应用中发挥重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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