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TSM2307CX RF-VB 产品详细

产品简介:

1. **产品简介**

TSM2307CX RF-VB是一款单P沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,具有-30V的漏源电压(VDS),适用于中低电压的开关控制应用。该MOSFET的最大栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V,具有较低的导通电阻(RDS(ON))。在VGS=4.5V时,RDS(ON)为54mΩ,而在VGS=10V时,RDS(ON)为46mΩ,能够有效降低功率损耗。其最大漏极电流(ID)为-5.6A,采用Trench技术,具有优异的开关性能和低功耗特点。TSM2307CX RF-VB特别适用于需要快速开关、低导通损耗和较高可靠性的中低功率电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
2. **详细参数说明**

| **参数** | **值** |
|----------------|--------------------|
| **型号** | TSM2307CX RF-VB |
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单P沟道 |
| **漏源电压 (VDS)** | -30V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | -1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 54mΩ (VGS=4.5V)
46mΩ (VGS=10V) |
| **最大漏极电流 (ID)** | -5.6A |
| **技术** | Trench技术 |

领域和模块应用:

3. **应用领域和模块**

TSM2307CX RF-VB的低RDS(ON)特性和适中的电流能力,使其适用于各种中低功率的开关和控制应用。以下是该型号在不同领域的典型应用:

- **电源管理与保护电路**:TSM2307CX RF-VB广泛应用于电源管理电路,尤其适用于低电压电源系统中的开关控制。它的低导通电阻和较高的漏极电流能力,使其在电源开关、过压和过流保护等功能中表现出色。

- **电池管理系统(BMS)**:在电池管理系统中,TSM2307CX RF-VB用于电池保护电路,以避免过电流或过电压情况。其稳定的开关特性和低功耗特性确保了电池的安全性和长期可靠性。

- **负载开关电路**:该MOSFET常用于负载开关电路中,能够快速切换电源或控制不同模块的电流。例如,在手持设备或低功耗设备中,TSM2307CX RF-VB用于实现低功耗的负载切换,以提高整体能效。

- **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,TSM2307CX RF-VB能够作为主开关元件提供高效的电压转换。其低RDS(ON)特性确保了转换过程中的较低功率损耗,广泛应用于便携式电源设备、LED驱动器等领域。

- **便携式设备和无线通信**:在许多便携式设备中,TSM2307CX RF-VB可用于高效电源管理。它的快速开关和低功耗特性使得它特别适合于便携式电池供电设备、无线通信模块(如RF放大器和射频开关)等领域。

- **低功耗开关电源**:该MOSFET也适用于低功耗开关电源(如5V/12V转换电源),由于其较低的导通电阻和较高的电流能力,它能够有效地支持小功率开关电源的设计,减少功率损耗并提高效率。

综上所述,TSM2307CX RF-VB MOSFET因其低导通电阻、高效率开关性能以及良好的电流承载能力,广泛应用于电源管理、便携式设备、电池保护、DC-DC转换器和负载开关等领域,特别适合需要低功耗、高可靠性和高效能的中低电压电路设计。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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