产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
30V |
20(±V) |
1.7V |
6.5A |
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|
30mΩ |
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2. **详细参数说明:**
- **型号**:TSM2306CX RF-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(V_DS)**:30V
- **栅极-源极电压(V_GS)**:±20V
- **阈值电压(V_th)**:1.7V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 33mΩ(在V_GS=4.5V时)
- 30mΩ(在V_GS=10V时)
- **最大漏电流(I_D)**:6.5A
- **技术类型**:Trench
- **最大功率损耗**:根据实际工作条件(环境温度、散热方案等)评估
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C
- **开关速度**:适用于高频率开关应用,低开关损耗
- **漏极-源极电压最大值**:30V,适用于低电压应用
- **栅极驱动电压范围**:±20V,适应多种控制电压需求
领域和模块应用:
3. **应用领域和模块示例:**
1. **低电压开关电源(SMPS)**
TSM2306CX RF-VB 是一款适用于低电压开关电源的理想MOSFET。由于其低导通电阻(R_DS(ON))和较高的漏电流(6.5A),它可以高效地转换电力,减少损耗,特别适合用于3.3V至5V电压系统的高效电源管理。
2. **移动设备电源管理**
在移动设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,TSM2306CX RF-VB能够为小型化电源系统提供高效的功率转换和较低的功耗。其SOT23-3封装使得它非常适合空间受限的应用,同时具备较低的R_DS(ON)和较高的电流能力,能够支持低功耗、高效的电源设计。
3. **射频(RF)应用**
由于其优异的开关性能,TSM2306CX RF-VB在射频(RF)模块中表现出色,特别适用于射频放大器、电压调节器以及高频开关电源等RF应用中。该MOSFET能够快速切换,同时提供低损耗,从而提升射频信号的传输效率和稳定性。
4. **LED驱动电路**
在LED驱动电路中,TSM2306CX RF-VB能够高效控制电流,保证LED的稳定运行。其低R_DS(ON)特性使得其适用于大电流控制,同时保持较低的功率损耗,尤其适用于需要高电流支持和快速开关响应的LED系统。
5. **无线通信设备电源管理**
在无线通信设备中,TSM2306CX RF-VB能够提供低功耗和高效的电源管理。尤其是在需要快速响应的射频模块和小型电池供电设备中,该MOSFET的快速开关能力和低导通电阻使其成为理想的电源转换组件。
6. **汽车电子(低功率电源管理)**
在汽车电子系统中,TSM2306CX RF-VB适用于低功率电源管理和小型化模块,如车载传感器、辅助电源系统和车载无线通信模块。其低R_DS(ON)和较高的电流能力使其能够在这些低功耗应用中提供高效的电流传输,帮助提升整体系统效率。
7. **传感器接口和控制电路**
TSM2306CX RF-VB在传感器接口和控制系统中应用广泛。它能够高效地控制电流并保证信号稳定,适合用于智能家居、工业自动化和医疗设备中的传感器控制电路。其小封装和低功耗特性使其特别适合用于精密控制和快速响应的应用场景。
8. **低功率逆变器**
TSM2306CX RF-VB也适用于低功率逆变器系统,尤其是在小型光伏电池组、便携式太阳能设备及电动工具的电源管理中。该MOSFET能够在低电压和高效能的电源转换系统中实现快速、低损耗的电流开关,提供稳定的输出电压。
综上所述,TSM2306CX RF-VB 是一款适用于低电压、高效能电源管理、射频应用及LED驱动的N沟道MOSFET。其低导通电阻、高漏电流能力和快速开关特性使其成为移动设备、射频模块、电池供电设备、传感器接口等多个领域的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性