产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-P |
-20V |
12(±V) |
-0.8V |
-4A |
80mΩ |
|
60mΩ |
|
TSM2301ACX RF-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型(Package)**:SOT23-3
- **配置(Configuration)**:单极 P-Channel
- **最大漏极-源极电压(V_DS)**:-20V
- **最大栅极-源极电压(V_GS)**:±12V
- **导通电压阈值(V_th)**:-0.8V
- **导通电阻(R_DS(on))**:
- 80mΩ(在V_GS=2.5V时)
- 65mΩ(在V_GS=4.5V时)
- 60mΩ(在V_GS=10V时)
- **最大漏极电流(I_D)**:-4A
- **工艺技术(Technology)**:Trench
- **最大功率耗散(P_D)**:未提供
- **工作温度范围**:未提供
领域和模块应用:
TSM2301ACX RF-VB MOSFET 应用领域与模块举例
1. **低压电源管理(Low Voltage Power Management)**
TSM2301ACX RF-VB 适用于低压电源管理电路,如DC-DC转换器、电源开关和电池管理系统(BMS)。它的最大漏极-源极电压为 -20V,能够在低压条件下高效地开关电流,同时其低导通电阻(R_DS(on))保证了较低的功率损耗,适用于需要高效电源转换和稳定电流控制的应用。
2. **负载开关(Load Switching)**
在需要精确控制负载的电路中,TSM2301ACX RF-VB 可作为开关元件,控制负载的通断。由于其 P-Channel 配置,它可以直接用于低电压电源端的开关,能够在低栅电压下启动并关闭负载,广泛应用于负载开关、启停控制等电路。
3. **过电流保护(Overcurrent Protection)**
TSM2301ACX RF-VB 的低导通电阻使其在电流流过时产生较小的功耗,适合用于过电流保护电路。在电路中,若电流超过设定值,MOSFET 会迅速断开,从而保护电路免受损坏。这种功能对于电源保护和短路保护等应用至关重要。
4. **模拟开关和信号调节(Analog Switches & Signal Conditioning)**
TSM2301ACX RF-VB 可应用于信号调节和模拟开关电路。作为 P-Channel MOSFET,它能够控制模拟信号的传输,广泛应用于音频设备、射频电路及其他模拟系统中的信号切换与处理。它的低导通电阻和高效控制能力,使其在信号调节应用中表现优异。
5. **电池开关和电源切换(Battery Switching & Power Switching)**
在电池供电设备中,TSM2301ACX RF-VB 可作为电池开关,控制电池与设备之间的电源连接。其 P-Channel 配置适合负载与电池端的高效切换,确保电池的安全使用。适用于便携式设备、无线电源管理及其他需要精确电池开关控制的应用。
6. **LED 驱动(LED Drivers)**
TSM2301ACX RF-VB 适用于 LED 驱动电路,尤其是在低电压条件下的电流开关。由于其高效的导通性能,它可以在 LED 驱动电路中有效控制电流并提高能效。其低导通电阻减少了热量产生,确保LED照明系统的稳定性和长寿命。
7. **无线电频率(RF)开关(RF Switching)**
TSM2301ACX RF-VB 适合用于射频开关应用,能够在无线通信设备中作为高效的开关元件。它可以控制射频信号的路径,从而实现信号选择、信号调节等功能。其高效的导通和低导通电阻使其在射频开关应用中非常理想,确保低功耗且稳定的操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性