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TP0610K-T1-VB 产品详细

产品简介:

TP0610K-T1-VB MOSFET 产品简介

TP0610K-T1-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,设计用于低电压、高效能的开关应用。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 20V,适用于对电压要求较低的电源管理、电流控制和开关应用。其阈值电压(Vth)范围为 0.5V 到 1.5V,保证了低电压驱动下的可靠开关操作。具有较低的导通电阻(RDS(ON))分别为 42mΩ(VGS = 2.5V)和 28mΩ(VGS = 4.5V),使得该产品在提供最大 6A 电流(ID)时,能够显著降低功率损耗并提高效率。

该 MOSFET 采用 Trench 技术,具备出色的开关特性和较低的导通损耗,适合广泛应用于移动设备、便携式电源、低压电路等领域。TP0610K-T1-VB 以其小巧封装、高效能和稳定性,在许多需要高效开关和电流调节的应用中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
TP0610K-T1-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**:TP0610K-T1-VB
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(VDS)**:20V
- **最大栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V 至 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流(ID)**:6A
- **技术类型**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C

领域和模块应用:

TP0610K-T1-VB MOSFET 应用领域与模块

1. **便携式电源管理系统**
- TP0610K-T1-VB 适用于便携式电源管理系统,尤其是在手机、平板电脑和其他低功耗设备中,作为高效的电源开关来管理电池的充放电过程。其低导通电阻和小巧封装使其在便携设备中能够节省空间并提高电能转化效率。

2. **DC-DC 转换器**
- 该 MOSFET 在低电压 DC-DC 转换器中表现出色,特别适合用于要求高效电压转换的应用,如可穿戴设备、智能传感器和物联网设备。由于其较低的导通电阻,它能够减少能量损耗,提升整体能效。

3. **低功耗电路**
- TP0610K-T1-VB 特别适合用于低功耗电路中,尤其是在需要频繁开关的小型电子设备中。例如,在电池驱动的手持设备、LED 照明电源、汽车电子产品等领域中,该 MOSFET 能有效管理电流,减少功率消耗。

4. **电池保护电路**
- 在电池保护电路中,TP0610K-T1-VB 可作为开关元件,确保电池的安全使用。其低阈值电压和快速开关特性使其能够有效防止电池过充、过放和短路等异常情况。适用于各种电池供电的设备,包括无线设备、智能家居、可穿戴设备等。

5. **负载开关**
- 该 MOSFET 可用于负载开关应用,能够有效地控制电流流向。其低导通电阻和高开关速度使其适用于需要快速切换和精确电流控制的系统,如低压电源模块、充电器和电池管理单元。

6. **反向电流保护**
- TP0610K-T1-VB 还可用于反向电流保护电路,特别是在涉及直流电源的场景中,如电池充电器和直流电动机控制系统。由于其低导通电阻和阈值电压范围,它能够在较低的栅电压下迅速开启,保护电路免受反向电流的损害。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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