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TN2404K-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
**TN2404K-T1-E3-VB** 是一款高效、低功耗的单N沟MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装,专为中小功率应用设计。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为200V,最大漏极电流(ID)为0.6A,适用于低电压电源管理、开关控制和负载开关等应用。其采用**Trench**技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON) = 1400mΩ @ VGS = 10V),即便在较低电压下也能提供稳定的电流控制,广泛应用于电子设备的小型化、高效能设计中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
详细参数说明
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟MOSFET
- **最大漏源电压 (VDS)**: 200V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1400mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.6A
- **技术类型**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **电源管理系统**
**TN2404K-T1-E3-VB** 的高VDS和低RDS(ON)特性使其非常适用于电源管理系统中的开关电源控制。在这种应用中,MOSFET可作为开关控制元件,用于调节电源的输出电流和电压。例如,在低功耗电子设备和便携式电池供电系统中,使用该MOSFET可以有效地优化电源的效率,减少能量损失,并提升电池续航能力。

2. **小型化电池管理系统**
由于其紧凑的SOT23-3封装和较低的漏极电流,**TN2404K-T1-E3-VB** 适用于小型化电池管理系统(BMS)。它可以在充电和放电过程中控制电池的电流流动,特别是在手持设备、智能手机、可穿戴设备等小型设备中,帮助实现高效的电池管理和保护功能。

3. **负载开关**
在低电压负载开关应用中,**TN2404K-T1-E3-VB** 也表现出色。其低RDS(ON)和较高的VDS能力使其适用于各种低功率负载开关应用,如低电压电路的开关控制。它常用于低功率消费类电子产品、嵌入式系统以及便携式电池供电设备的电源开关中。

4. **汽车电子系统**
**TN2404K-T1-E3-VB** 具有较高的漏源电压(200V),使得它能够在汽车电子系统中用于电源管理和保护电路,尤其是用于低电压负载的电流控制和开关功能。它可应用于车载电子模块、电池管理系统、车辆电动窗、电动座椅等低功率电气系统中,提供高效、稳定的电流控制。

5. **传感器模块和嵌入式系统**
由于其小型化封装(SOT23-3)和高电流开关能力,**TN2404K-T1-E3-VB** 适用于传感器模块和嵌入式系统中的电源开关功能。在这些应用中,MOSFET的高电压能力和低导通电阻有助于提高系统的可靠性,减少功耗并延长设备的使用寿命。

6. **小型电子设备的功率开关**
该MOSFET也非常适用于小型电子设备中的电源开关控制。它可以用于用于低功率电流应用的智能家居设备、传感器模块、可穿戴设备和无线通信设备等。这些应用通常要求小型、高效、低功耗的开关元件,以确保产品的便携性和长电池寿命。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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