产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20(±V) |
1.7V |
0.3A |
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2800mΩ |
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TN2106K-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:60V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- **3100mΩ**(在 **VGS=4.5V** 时)
- **2800mΩ**(在 **VGS=10V** 时)
- **最大漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **功率损耗**:低RDS(ON)值有助于降低功率损耗,提高整体效率。
- **开关特性**:优化的开关速度,适合高效低功耗应用。
领域和模块应用:
TN2106K-VB MOSFET 应用示例
1. **低功耗电池供电设备**:
**TN2106K-VB** 由于其低功耗特性,特别适合用于 **电池供电的电子设备**,如 **无线传感器**、**便携式医疗设备** 等。在这些设备中,MOSFET被用作开关元件,以实现电源管理并延长电池使用寿命。低 **RDS(ON)** 值有助于减少电池的能量消耗,提高设备的整体效率。
2. **小型电源管理模块**:
由于其小型的 **SOT23-3** 封装和低功耗特性,**TN2106K-VB** 非常适用于 **电源管理模块** 中,尤其是在 **DC-DC转换器** 和 **负载开关控制** 电路中。其低导通电阻可以有效减少功率损耗,适用于 **低电压电源调节** 和 **电源稳定性控制** 的应用。
3. **过流保护电路**:
在一些 **过流保护电路** 中,**TN2106K-VB** 可作为开关元件来监测电流并有效地限制电流值,避免电路中其他元件受到损坏。该MOSFET的低导通电阻和较小的封装,使其非常适合在空间受限的电路中实现过流保护功能。
4. **RF/高频开关电路**:
**TN2106K-VB** 采用 **Trench技术**,因此在高频开关应用中表现出色。它可用于 **射频开关** 或 **高频信号处理电路**,能够有效地控制信号路径的开通和断开,广泛应用于 **无线通信设备**、**射频前端模块**等领域。
5. **驱动小功率负载**:
该MOSFET也可用于 **小功率负载的驱动**,如 **LED驱动电路** 和 **小功率电动机**。其在开关负载时的低功率损耗,有助于提升系统效率和延长设备使用寿命。适用于要求高效能并且负载功率较低的电路。
6. **智能家居设备**:
在 **智能家居设备** 中,**TN2106K-VB** 可用于实现低功耗的电源管理,如 **传感器**、**无线开关**、**自动控制系统** 中。其小型封装和高效的开关特性使其在空间和功耗有限的条件下表现出色。
7. **传感器开关电路**:
对于一些小型 **传感器模块**,如温度、湿度、压力等传感器,**TN2106K-VB** 可用于作为开关元件,帮助实现对传感器电源的高效控制,特别是在功耗要求严格的应用中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性