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TM3402N FN-VB 产品详细

产品简介:

TM3402N FN-VB MOSFET 产品简介

**TM3402N FN-VB** 是一款 **单极N通道** MOSFET,采用 **SOT23-3** 封装,适用于各种低电压、高效率的电子应用。该MOSFET的 **最大漏源电压** (VDS) 为 **30V**,**最大漏极电流** (ID) 为 **6.5A**,它采用了 **Trench技术**,具有低 **RDS(ON)** 特性,分别为 **30mΩ** 和 **33mΩ** 在不同的栅源电压(VGS)下。在 **VGS = 10V** 时,电阻更低,有助于减少电能损失并提高开关效率。该MOSFET具有 **1.7V** 的 **阈值电压** (Vth),使其能够在较低的栅电压下启动工作,广泛应用于低功率、高频、高速开关电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
TM3402N FN-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单极N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:30V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- **33mΩ**(在 **VGS=4.5V** 时)
- **30mΩ**(在 **VGS=10V** 时)
- **最大漏极电流 (ID)**:6.5A
- **技术**:Trench技术
- **功率损耗**:低导通电阻使其具有较低的功率损耗,适合高效应用。
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **开关特性**:高效的开关性能,适用于快速开关应用
- **电流承载能力**:支持最大6.5A电流,适合多种中低功率应用

领域和模块应用:

TM3402N FN-VB MOSFET 应用示例

1. **电源管理和DC-DC转换器**:TM3402N FN-VB 可用于 **DC-DC转换器**,特别适用于低功率、低电压的电源系统。由于其低 **RDS(ON)**,它可以有效降低转换过程中的功率损失,提升系统的能效。在 **电池供电设备**(如移动设备、便携式电源)中,它的高效率可以延长设备的使用时间。

2. **负载开关控制**:在 **负载开关控制电路** 中,TM3402N FN-VB 可用于快速切换负载开关,特别是在需要精确控制电流的应用中。它适用于 **家用电器** 和 **传感器电路**,能有效控制电流并降低系统中的功率损耗。

3. **负载调节电路**:在一些 **电动工具** 或 **小型电机驱动电路** 中,使用该MOSFET作为负载调节元件,可以有效控制电流流动,减少电机启动和运行中的功率损失,提升整体效率。它的低导通电阻特性使其在较高负载下也能保持较低的热量产生,避免设备过热。

4. **开关电源(SMPS)**:TM3402N FN-VB 可广泛应用于 **开关电源**(SMPS)设计中,作为高效的开关元件,特别是在 **高频开关模式** 中。它能够以较低的开关损耗工作,保证稳定的电压输出,适用于小型电源适配器、无线充电器等高效能设备。

5. **低功耗传感器电路**:在 **低功耗传感器** 和 **无线传感器网络** 中,TM3402N FN-VB 可以作为开关元件使用,帮助控制电源开关并提供高效的电流传输。其 **低RDS(ON)** 和高频开关特性使其非常适合低功耗传感器设备,如环境监测传感器和智能家居设备。

6. **信号处理电路**:由于该MOSFET具有较低的阈值电压(**Vth = 1.7V**),它也适合用在 **低电压信号处理电路** 中,特别是在需要精确、快速响应的高频应用中。其低功率损耗和高开关效率使其适合用于无线通信和信号放大器等高频信号处理模块。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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