产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-P |
-30V |
20(±V) |
-1.7V |
-5.6A |
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46mΩ |
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详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单极 P 型
- **最大漏极源电压 (VDS)**:**-30V**
- **栅极源电压 (VGS)**:**±20V**
- **阈值电压 (Vth)**:**-1.7V**
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- **54mΩ**(在 **VGS=4.5V** 时)
- **46mΩ**(在 **VGS=10V** 时)
- **最大漏极电流 (ID)**:**-5.6A**
- **技术类型**:Trench(沟槽型)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大功率损耗**:具体依据工作条件计算
- **漏极-源电流的最大值**:**-5.6A**
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领域和模块应用:
应用领域和模块举例
1. **电池管理系统(Battery Management Systems, BMS)**
**TM3401N FN-VB** 作为一款 **P 型 MOSFET**,在 **电池管理系统** 中常用于 **电池保护** 和 **电池充放电管理**。由于其具有较低的 **RDS(ON)** 值,该 MOSFET 能够在高电流负载下高效地工作,降低功率损失。在电池充放电过程中,它能够有效地控制电池的放电电流,防止电池过放或过充,并保护电池免受损坏。广泛应用于 **便携式电子设备**、**电动工具** 和 **电动汽车** 等领域。
2. **低电压电源开关(Low Voltage Power Switching)**
该 MOSFET 特别适合用于 **低电压电源开关应用**,如 **低功率DC-DC转换器**、**负载开关** 和 **电源管理模块**。其低导通电阻和高效的开关特性使其能够在高频率下高效工作,减少电源系统的功率损失。在 **通信设备**、**消费电子产品** 和 **便携式电源系统** 中,提供了稳定的电流控制,确保电源系统的可靠性和效率。
3. **负载开关和过电流保护(Load Switching and Overcurrent Protection)**
**TM3401N FN-VB** 可应用于各种 **负载开关** 和 **过电流保护电路** 中。其低导通电阻和良好的 **VDS** 规格使其能够在负载电流变化时保持较低的功率损耗,适用于 **电机驱动**、**LED照明控制** 和 **智能家电** 等模块。在需要快速开关和低功耗的应用中,提供了高效的负载控制。
4. **逆变器和电动驱动系统(Inverters and Electric Drive Systems)**
在 **逆变器** 和 **电动驱动系统** 中,**TM3401N FN-VB** 可用作开关元件,用于调节电流和控制电动机的转速。由于其 **低导通电阻** 和 **高电流处理能力**,它能够在 **电机驱动**、**风力发电系统** 和 **电动工具** 中提供稳定的电力输出,确保系统高效运行。
5. **继电器控制电路(Relay Control Circuits)**
该 MOSFET 可以在 **继电器控制电路** 中用于驱动大功率负载。由于其高效的开关能力,能够快速响应控制信号并实现负载的开关切换,在 **自动化控制系统** 和 **智能家居** 中应用广泛。通过与微控制器(MCU)配合使用,它能实现对大功率设备的精确控制。
6. **模拟信号开关(Analog Signal Switching)**
**TM3401N FN-VB** 还可以作为 **模拟信号开关**,用于 **音频放大器电路** 或 **视频信号传输** 等应用。由于其较低的导通电阻和较高的线性特性,该 MOSFET 在处理模拟信号时,能有效减少信号失真,并提供高质量的信号传输。
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**TM3401N FN-VB** 的低导通电阻和高电流承载能力使其在 **电池管理、低电压电源开关、负载开关、电动驱动系统、继电器控制电路、模拟信号开关等领域** 具有广泛的应用。特别是在需要高效能和低功耗的系统中,能够提供卓越的性能,满足各种设计需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性