产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
30V |
20(±V) |
1.7V |
6.5A |
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|
30mΩ |
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**详细参数说明**
- **封装**: SOT23-3
SOT23-3 是一种小型三引脚封装,非常适合低功耗和高密度应用,适合空间有限的设计。
- **配置**: 单一 N 通道
N 通道配置是最常用的 MOSFET 配置,具有较低的导通电阻,能够提供高效能的开关特性。
- **VDS(漏源电压)**: 30V
该 MOSFET 的漏源电压最大为 30V,适用于低电压电源管理、开关电路和信号调节等应用。
- **VGS(门源电压)**: ±20V
该 MOSFET 支持高达 ±20V 的门源电压,提供灵活的控制选项,适用于各种逻辑电平控制。
- **Vth(门槛电压)**: 1.7V
1.7V 的门槛电压确保在较低的门电压下即可开通,适合与低电压逻辑驱动电路兼容。
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- **33mΩ @ VGS=4.5V**
- **30mΩ @ VGS=10V**
低导通电阻确保该 MOSFET 在开关过程中能有效减少功率损失,提供高效率。
- **ID(最大持续漏电流)**: 6.5A
6.5A 的电流承载能力适用于中小功率的开关应用,满足对电流和功率的需求。
- **技术**: Trench
**Trench** 技术提高了 MOSFET 的效率和开关性能,具有低导通电阻、高速度和更好的热性能,使其适用于多种高效能应用。
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领域和模块应用:
**应用领域与模块举例**
1. **电池管理系统(BMS)**
**SW3406-VB** MOSFET 非常适用于 **电池管理系统** 中的电池保护电路,尤其是锂电池的过充、过放保护。其低门槛电压(1.7V)和低导通电阻使其能有效管理电池的充放电过程,提高系统的效率与稳定性。
2. **DC-DC 转换器**
在 **DC-DC 转换器** 中,**SW3406-VB** MOSFET 可用作高效开关元件,用于电源的升压或降压转换。低导通电阻和高电流承载能力使其在转换过程中能够最大限度地减少功率损耗,提高整体电源效率。
3. **负载开关与电源管理**
该 MOSFET 也适用于 **负载开关** 和 **电源管理系统**,例如在便携式设备、通信设备和消费电子产品中,SW3406-VB 可以作为开关元件用于电源的开关控制。其高效率和小巧的封装使其非常适合应用在空间受限的电源管理模块中。
4. **LED 驱动电路**
在 **LED 驱动电路** 中,**SW3406-VB** 可作为高效的开关元件,在恒流驱动电路中起到关键作用。由于其低导通电阻,能够显著减少能量损失,延长电池寿命和提高整体能效,广泛应用于汽车照明、电视背光源等领域。
5. **无线通信设备**
在 **无线通信设备** 中,如 **RF 放大器** 和 **射频开关**,该 MOSFET 可作为射频开关用于高频信号的切换,帮助优化通信信号的质量和效率。其小尺寸和低电阻特性使其非常适合高效能通信应用。
6. **智能家居与物联网设备**
**SW3406-VB** 在 **智能家居** 和 **物联网(IoT)** 设备中的应用也十分广泛,例如智能插座、传感器电源管理和智能灯具等。其高效的开关能力和低功耗特性,使其适合用于这些低功耗、高效能的智能设备中。
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SW3406-VB MOSFET 的低电压、低导通电阻和高电流承载能力使其适用于各种需要高效能、低功耗的电子产品,特别是在电池供电设备、移动设备、电源管理模块和高效开关应用中表现突出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性