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SW2N10-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介

**SW2N10-VB** 是一款 **单极N通道MOSFET**,采用 **SOT23-3封装**,适用于低电压、高效率开关应用。该MOSFET具有 **100V** 的最大漏源电压(V_DS),**2A** 的最大漏源电流(I_D),并且在 **V_GS = 10V** 下具有较低的导通电阻(R_DS(ON) = 240mΩ),在开关频率较高的应用中表现出较低的开关损耗。基于 **Trench技术**,该型号MOSFET具有优秀的开关性能,适合用于大多数低功率、低电压电源管理、电池供电设备等应用。其小巧的 **SOT23-3封装** 使其成为空间受限的电子系统中的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 20(±V) 1.5V 2A 240mΩ
2. 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单极N通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(V_DS)**:100V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±20V
- **开启电压(V_th)**:1.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- **240mΩ @ V_GS = 10V**
- **260mΩ @ V_GS = 4.5V**
- **最大漏源电流(I_D)**:2A
- **最大功率损耗(P_D)**:取决于工作环境和散热条件
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **技术类型**:Trench技术
- **输入电容(C_GS)**:约 400pF @ V_DS = 50V
- **漏源电容(C_DS)**:约 150pF @ V_DS = 50V
- **开关时间**:
- 上升时间(t_r):约 35ns
- 下降时间(t_f):约 25ns
- **体二极管反向恢复时间**:约 50ns

领域和模块应用:

3. 应用领域和模块举例

**SW2N10-VB** 的高效能和小型封装使其非常适合低功率、高频率的开关电源、便携式设备以及需要高效能、低功耗的应用。以下是该产品的几个典型应用领域和模块:

# 1. **低功率开关电源(SMPS)**
- **SW2N10-VB** 适用于 **低功率开关电源**(SMPS)中,尤其是在要求高频、高效能的 **DC-DC转换器** 和 **线性电源模块** 中。其 **100V** 的漏源电压和 **2A** 的电流能力,使其成为 **便携设备、充电器** 等小型电源模块的理想选择。

# 6. **电流保护和开关控制**
- **SW2N10-VB** 也适用于 **电流保护电路** 和 **开关控制**。它能用于高效的 **电流保护** 系统中,防止设备过载,并且作为 **高效开关控制** 元件,在低电压开关电源中提供可靠的电流开关功能。

# 7. **数据传输与控制电路**
- 在 **数据传输** 和 **控制电路** 中,SW2N10-VB 作为信号开关,提供稳定的开关控制,适用于 **通信模块、接口电路和处理单元**。它能够有效处理高频信号,并确保电路中电流的流动不受干扰。

总结

**SW2N10-VB** 是一款 **低电压高效能** 的 **N通道MOSFET**,具备 **100V** 漏源电压和 **2A** 最大电流能力,适用于 **低功率电源管理、电池保护、开关电源、便携设备电源系统** 等多个应用。凭借其 **SOT23-3封装** 和 **Trench技术**,它在高效电流开关和电源控制中表现出色,适合用于空间受限且要求高效率的设备,如 **便携式电子设备、LED驱动、低电压电机驱动、通信电路等**。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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