产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20(±V) |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
2. 详细参数说明
| 参数 | 说明 |
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| **型号** | SSF53A0E-VB |
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单极 N-沟道 (Single-N-Channel) |
| **最大漏极电压 (V_DS)** | 60V |
| **最大栅极电压 (V_GS)** | ±20V |
| **开启电压 (V_th)** | 1.7V |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 3100mΩ (V_GS = 4.5V) |
| | 2800mΩ (V_GS = 10V) |
| **最大漏极电流 (I_D)** | 0.3A |
| **技术** | Trench 技术 |
**温度特性:**
- 工作温度范围:-55°C 至 150°C
- 存储温度范围:-55°C 至 150°C
**输入/输出特性:**
- 栅极电荷:2nC(典型)
- 栅极门极电荷 (Qg) @ V_DS = 60V:3nC
领域和模块应用:
3. 应用领域和模块举例
**a. 低功率开关电源**
由于其小巧的 SOT23-3 封装和低导通电阻,SSF53A0E-VB 适用于小功率开关电源(SMPS)和低电压转换器中。该 MOSFET 的低导通电阻保证了高效的电力转换,并且非常适合用于需要低功耗和空间紧凑设计的应用。
例如,在便携式设备(如便携式充电器、移动电源)中,SSF53A0E-VB 可用作开关电源中的高效开关元件,提高系统的能效并减少热量。
**b. 负载开关和电流限制**
SSF53A0E-VB 可用于低电流负载开关和电流限制电路,尤其适用于需要精确电流控制的低功率应用。其低导通电阻保证了在切换负载时的高效性能和低功率损耗。
例如,在小型家电(如智能插座、LED驱动器等)中,SSF53A0E-VB 可以用作负载开关元件,控制设备的开关操作,并有效降低电流波动。
**c. 小型电池驱动设备**
SSF53A0E-VB 具有较低的导通电阻和高效率,特别适合用于电池驱动的小型设备中。其低电流特性使其成为便携式设备和低功率电子电路中的理想选择。
例如,在遥控器、电动玩具、无绳电话等小型电池供电设备中,SSF53A0E-VB 可以用于电源开关和电流控制,确保设备的长时间运行和高效电池利用率。
**d. 电源保护和负载切换**
SSF53A0E-VB 可以应用于电源保护电路中,用于负载切换和短路保护。由于其较小的封装和较低的导通电阻,该产品能够有效实现快速切换与保护功能,特别适用于需要精确控制和快速响应的低功耗系统。
例如,在电池保护模块和小型电流保护电路中,SSF53A0E-VB 可以作为负载开关元件,用于防止过电流损坏电路,同时减少功率损耗和延长系统的使用寿命。
**e. 高效LED驱动**
在LED驱动电路中,SSF53A0E-VB 由于其低导通电阻,可以有效减少功率损失,并提高驱动电流的稳定性,适合用于需要高效率的照明系统。
例如,在低功耗LED照明系统中,SSF53A0E-VB 可以作为开关元件,在调节电流和控制亮度时提供高效能,减少热量产生,并提升LED灯具的整体性能。
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综上所述,SSF53A0E-VB 是一款适用于低功率、低电流应用的 N-沟道 MOSFET,广泛应用于开关电源、电池管理、负载开关、LED驱动、以及各种小型电子设备中,凭借其高效能和低功耗特性,能够显著提高系统的整体性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性