产品简介:
产品简介
SPN7002KS23RGB-VB 是一款单 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,使用 Trench 技术,具备较低的栅源电压控制能力。其漏源电压(VDS)为 60V,最大电流可达 0.3A,适合低功率应用中的开关元件。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 下为 3100mΩ,在 VGS=10V 下为 2800mΩ,适合一些对功率损耗要求较低的场合,如低电流控制和电源管理模块。
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产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20(±V) |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
详细参数说明
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:3100mΩ@VGS=4.5V, 2800mΩ@VGS=10V
- **最大电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench
- **工作温度范围**:通常 -55°C 至 150°C
- **应用领域**:低功率电源管理、信号开关、传感器接口等。
领域和模块应用:
适用领域和模块
1. **低功率电源管理**:SPN7002KS23RGB-VB 可广泛应用于低功率电源管理模块,作为高效开关元件,尤其适合要求体积小、功耗低的系统,如小型家电、电池供电设备等。
2. **信号开关**:该 MOSFET 的导通电阻较高,适用于信号开关应用。在低电流信号调节、开关电路中,能够在较低电压控制下稳定工作。
3. **传感器接口**:在一些需要较低功耗的传感器接口电路中,这款 MOSFET 适合用作驱动开关,能够在不增加过多热损耗的情况下处理传感器信号。
4. **便携式设备**:因其小巧的 SOT23-3 封装和低电流承载能力,SPN7002KS23RGB-VB 特别适用于便携式设备和可穿戴技术,如手持设备、电池驱动装置等。
此 MOSFET 适合在低电流、低功耗的应用场景中发挥重要作用,尤其适合体积有限且对功率消耗敏感的系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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