产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
650V |
30（±V） |
3.5V |
1A |
|
|
8400mΩ |
|
2. **详细参数说明**
- **型号**: SPN5001-VB
- **封装形式**: SOT23-3（小型封装）
- **配置**: 单N通道
- **漏极-源极电压（VDS）**: 650V
- **栅极-源极电压（VGS）**: ±30V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 8400mΩ @ VGS = 10V
- **持续漏极电流（ID）**: 1A
- **技术**: 平面工艺（Plannar），适合低成本和高可靠性设计
- **栅极电荷（Qg）**: 通常用于评估开关性能，未在此说明。
- **漏极-源极漏电流（IDSS）**: 高电压下非常低，通常为纳安级别。
- **应用领域**: 通用开关、DC-DC转换器及其他低至中等功率应用。
领域和模块应用：
3. **应用领域与模块举例**
**SPN5001-VB** MOSFET 适用于多种领域和模块，特别是在需要紧凑设计、较高电压和低功率开关的应用中：
# a) **电源管理系统**
SPN5001-VB 常用于电源供应和转换器中，尤其是在 **DC-DC转换器** 中，用于中等电压应用（最高650V）。其低 **RDS(ON)** 值有助于减少导通损耗，对于高效能的电力转换至关重要。
总结：
SPN5001-VB 是一款多功能、紧凑、高效的MOSFET，具有较高的电压额定值和低导通电阻，非常适合用于 **DC-DC转换器**、**电源管理系统**、**LED驱动器**、**电池管理系统** 等多种电力电子应用。其 SOT23-3 封装和稳定的性能使其在紧凑设计和低功率应用中成为理想选择。
如果需要进一步的详细信息或特定应用的例子，欢迎随时告知！
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
立即下载
中文
English
返回上级页面
