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SMS501DE-VB 产品详细

产品简介:

# **产品简介**

SMS501DE-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 通道 MOSFET,具有较高的耐压能力,最大漏源电压(V_DS)为 650V。该 MOSFET 采用 Plannar 技术,适用于需要较高电压耐受能力和低电流开关操作的应用。其较高的导通电阻(R_DS(ON) = 8400mΩ @ V_GS = 10V)限制了其适用的电流范围,最大漏极电流(I_D)为 1A。该产品适用于电力转换、电源管理、负载开关等低功率应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 1A 8400mΩ
# **产品参数说明**

- **封装类型**:SOT23-3
SOT23-3 封装是紧凑型封装,适合于对空间和功率密度有要求的应用。它通常用于小型电子设备和移动应用。

- **配置**:单 N 通道 MOSFET
单 N 通道设计提供高效的电流开关和控制,适用于小功率的开关应用。

- **V_DS(漏源电压)**:650V
SMS501DE-VB 可承受最大 650V 的漏源电压,适合用于高电压应用,尤其是在电源管理和电力转换领域。

- **V_GS(栅源电压)**:±30V
该 MOSFET 可在 ±30V 的栅源电压下工作,提供较高的栅驱动灵活性,适用于各种控制电路。

- **V_th(门阈电压)**:3.5V
适中的门阈电压(3.5V)能够确保 MOSFET 在较低栅电压下开启,适应广泛的控制电路要求。

- **R_DS(ON)(导通电阻)**:8400mΩ @ V_GS = 10V
相对较高的导通电阻(R_DS(ON))限制了该 MOSFET 的功率效率,在低电流应用中,仍能提供可靠的开关特性。

- **I_D(漏极电流)**:1A
最大漏极电流为 1A,适合小功率应用,能够处理低功率负载。

- **技术类型**:Plannar 技术
Plannar 技术确保该 MOSFET 在较高电压下的稳定性和较好的开关性能,适用于各种电压控制的场景。

领域和模块应用:

# **应用领域和模块示例**

1. **低功率电源管理**
SMS501DE-VB 的 650V 漏源电压使其在低功率电源管理中适用。虽然其导通电阻较高,但在较小的电流和电压需求下,仍能提供良好的开关性能。

**示例**:在便携式电子设备的电源管理模块中,SMS501DE-VB 可以作为功率开关元件,帮助实现高效的电源分配,尽管它不适用于高电流应用,但能满足低功率需求的设备。

2. **低功率负载开关**
SMS501DE-VB 可以用于低功率负载开关控制,例如在家电控制、LED驱动器等应用中。当需要进行电压切换时,它的高电压能力和较低电流开关特性使其成为理想选择。

**示例**:在电动工具或便携式家电的电源开关模块中,SMS501DE-VB 可用于控制设备的开关操作,帮助实现可靠的开关和保护功能。

3. **电源转换应用**
尽管 SMS501DE-VB 的最大漏极电流仅为 1A,但其高电压耐受性使其适用于低功率电源转换应用。该产品可用于变压器驱动、电池管理等领域,进行电能的转换和电流的控制。

**示例**:在低功率的太阳能系统中,SMS501DE-VB 可作为电源转换电路中的开关元件,用于转换直流电至其他电压等级,帮助实现高效的电源管理。

4. **信号开关和保护电路**
由于其高电压耐受能力,SMS501DE-VB 也可以用于信号开关和保护电路。它能有效地控制电流,保护电路免受过电流和过电压的损害。

**示例**:在通信设备的电路中,SMS501DE-VB 可以作为信号开关元件,控制高电压信号的传输,确保电路的稳定运行和保护。

5. **自动化控制系统**
SMS501DE-VB 可用于工业自动化控制中的小功率电机驱动、传感器控制等应用。其较高的漏源电压使其在控制系统中具有较强的适应性。

**示例**:在自动化设备的驱动电路中,SMS501DE-VB 可作为开关元件用于电机控制,提供低功率负载的切换功能。

6. **LED驱动应用**
由于其较低的导通电阻,SMS501DE-VB 在低功率 LED 驱动电路中也有一定的应用。它可以用于 LED 灯具的开关控制,帮助提升功率转换效率。

**示例**:在 LED 灯具的驱动电路中,SMS501DE-VB 可以作为开关元件,实现 LED 的开关控制,帮助提高驱动效率。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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