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SMG2345PE-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

SMG2345PE-VB 是一款单极 P 通道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。该 MOSFET 的最大漏源电压(V_DS)为 -30V,栅源电压(V_GS)为 ±20V,开启电压(V_th)为 -1.7V,漏极电流(I_D)最高可达 -5.6A。其导通电阻(R_DS(ON))在不同栅电压下分别为 54mΩ @ V_GS = 4.5V 和 46mΩ @ V_GS = 10V,具有低功耗和高效的性能表现。SMG2345PE-VB 采用 Trench 技术,适用于需要高效、低电流损耗的开关电源和负载管理应用。它非常适合用于低电压和小型化的电源系统中,尤其是在需要负电源或反向电压控制的场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细参数说明

- **型号**:SMG2345PE-VB
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单极 P 通道 MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:-30V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **开启电压 (V_th)**:-1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 54mΩ @ V_GS = 4.5V
- 46mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:-5.6A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

SMG2345PE-VB 适用于需要低导通电阻和高效率的电源开关、电池管理、LED 驱动等领域。由于它是 P 通道 MOSFET,通常应用于需要反向电压控制的场合。以下是该 MOSFET 的典型应用:

1. **负电源供电系统**
SMG2345PE-VB 常用于负电源供电系统中,尤其是对于低电压和小型化电源系统的应用场景。它的 P 通道特性使其非常适合于负电源转换电路,可以作为负电源的开关元件,减少功耗并提高系统的效率。此类应用广泛存在于嵌入式系统、传感器网络和低功耗设备中。

2. **DC-DC 转换器**
在负电压或者双电源系统的 DC-DC 转换器中,SMG2345PE-VB 可以作为负侧开关元件,帮助实现更高效的电压转换。它低的导通电阻和较高的电流承载能力使其在高频开关电源中具备优异的性能。广泛用于电池驱动设备和便携式设备中的电源转换电路。

3. **反向电流保护与负载开关**
SMG2345PE-VB 适用于反向电流保护电路中,作为负载开关或者负载保护元件。它能够在检测到反向电流时快速断开负载,保护电路免受损坏。这在电池供电系统、太阳能电池板管理系统和便携式设备中非常重要,确保系统在极端环境下的安全运行。

4. **LED 驱动器**
SMG2345PE-VB 可用于低电压 LED 驱动电路,作为开关元件调节电流的流向,帮助实现高效的 LED 电源供应。它在降低电能损耗的同时,有效延长了LED灯具的使用寿命,特别适合用于可调光 LED 驱动系统中。

5. **电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统(BMS)中,SMG2345PE-VB 可作为开关元件,调节电池的充电与放电,尤其是在需要处理负电压的电池管理中。通过降低导通电阻和增加电流承载能力,可以提升电池系统的整体效率,广泛应用于电动工具、电动汽车和智能设备中。

6. **同步整流电源**
SMG2345PE-VB 在同步整流电源中的应用也十分广泛。它可以与 N 通道 MOSFET 配合使用,作为反向电流路径的开关,以替代传统的二极管整流。通过这种方式,能够显著降低整流损失,提高电源的转换效率,广泛应用于电源适配器、消费电子和数据通信设备中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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