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SMG2343P-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**SMG2343P-VB** 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 **SOT23-3** 小型封装,适用于低电压电源管理、负载开关和功率调节等领域。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 **-30V**,栅源电压(VGS)为 **±20V**,最大漏极电流(ID)为 **-5.6A**。通过 **Trench** 技术,SMG2343P-VB 具有低导通电阻:**54mΩ**(VGS=4.5V)和 **46mΩ**(VGS=10V),能够在低功耗和高效率的应用中表现出色。该 MOSFET 主要应用于低电压、高频率开关电源系统,适合要求小型封装、高效性能的电子产品。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 P 沟道
- **漏源电压(VDS)**:-30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 在 VGS=4.5V 时:54mΩ
- 在 VGS=10V 时:46mΩ
- **漏极电流(ID)**:-5.6A
- **技术**:Trench 技术
- **最大功率耗散**:根据实际工作条件和散热设计
- **最大栅电压**:±20V
- **工作温度范围**:-40°C 至 +150°C

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **负载开关控制**
SMG2343P-VB 的 **低导通电阻** 和 **小封装** 特性使其非常适合用于 **负载开关控制**。特别是在低电压电池驱动的系统中,SMG2343P-VB 可用于电源管理和负载切换,确保高效的能量传输并减少系统功耗。

2. **DC-DC 转换器**
在 **DC-DC 转换器** 中,SMG2343P-VB 可以作为高效开关元件,实现电能的高效转换。其 **低 RDS(ON)** 特性使得它在高频转换中能够保持较低的功率损失,适合用在移动设备、电池充电器和便携式电源模块中。

3. **电池管理系统**
SMG2343P-VB 可以作为 **电池管理系统** 中的开关元件。它能有效管理电池的充电与放电过程,防止电池过流或过压,确保电池的安全使用。特别适合 **便携式电子产品**,如智能手机、平板电脑和便携电池管理系统。

4. **LED 驱动器**
在 **LED 驱动器** 中,SMG2343P-VB 能够作为开关控制元件,提供稳定的电流调节,保障 LED 灯具的正常运行。其 **小封装** 和 **低导通电阻** 特性使其特别适合小型 LED 驱动电路,用于高效能的照明设备。

5. **高效功率开关**
在 **高效功率开关** 应用中,SMG2343P-VB 是一个理想选择。其高效率开关特性非常适合 **低电压电源转换** 和 **电池驱动设备**,可以提供精确的电流控制并减少能量损失,特别在要求高效电源管理的消费电子产品中广泛应用。

6. **电池供电系统**
由于其低 **RDS(ON)** 和适中的 **漏极电流**,SMG2343P-VB 适合用于 **电池供电的系统**。例如,在便携式设备中,SMG2343P-VB 可以在电池供电系统中充当高效的负载开关,确保设备的长时间运行并延长电池寿命。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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