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SMG2328-VB 产品详细

产品简介:

SMG2328-VB MOSFET 产品简介

SMG2328-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 通道 MOSFET,具有适中的耐压和电流承载能力,适用于中小功率开关和控制应用。该 MOSFET 的最大漏源电压 (V_DS) 为 100V,栅源电压 (V_GS) 的最大值为 ±20V,阈值电压 (V_th) 为 1.5V。在 V_GS = 4.5V 时,导通电阻 (R_DS(ON)) 为 260mΩ,而在 V_GS = 10V 时,导通电阻为 240mΩ。该 MOSFET 最大漏电流 (I_D) 为 2A,采用 Trench 技术,能够在较低的驱动电压下提供高效的开关性能。SMG2328-VB 适用于各种低功率、低电压应用,尤其是在便携式设备、电池供电系统以及小型电源模块中表现优秀。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 20(±V) 1.5V 2A 240mΩ
SMG2328-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**:100V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **阈值电压 (V_th)**:1.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 260mΩ @ V_GS = 4.5V
- 240mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**:2A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **便携式电子设备电源管理**:
SMG2328-VB 可广泛应用于便携式电子设备的电源管理系统,例如智能手机、平板电脑和便携式游戏机。该 MOSFET 的低导通电阻和较高的最大漏电流使其在低功率的开关电源和充电电路中表现出色,有效提高了系统的效率和电池续航能力。

2. **电池供电系统**:
在电池供电系统中,SMG2328-VB 可作为开关元件用于控制电池的充放电过程。由于其较低的导通电阻,在低电压和中等电流的应用中具有较低的功耗,从而提高了电池的使用效率,延长了电池寿命。适合应用于小型电子产品、无线设备等。

3. **DC-DC 转换器**:
SMG2328-VB 适用于 DC-DC 转换器中,用于将输入电压转换为需要的输出电压。在这种应用中,MOSFET 起着关键的开关作用,其低导通电阻特性能够降低转换损失并提高系统效率。尤其适用于较低功率的电源转换,如小型家电、移动电源和低功耗电路。

4. **LED 驱动电路**:
该 MOSFET 也可用于 LED 驱动电路中,提供高效的电流控制和开关功能。在 LED 照明系统中,SMG2328-VB 能够通过低导通电阻提供稳定的电流,同时减少能量损耗。在控制电流的过程中,MOSFET 保持良好的热管理,并确保 LED 灯的长期稳定性。

5. **自动化控制与传感器系统**:
在自动化控制系统中,SMG2328-VB 可以用于传感器电源控制和开关电路。MOSFET 的高效开关性能和稳定的电流处理能力使其适合于低电压驱动的传感器模块、执行器和开关系统。它能够快速响应并提供可靠的电流控制,适用于工控设备、智能家居和物联网设备。

6. **低功率电动机驱动**:
SMG2328-VB 也可以用于低功率电动机的驱动系统,尤其是那些要求较小尺寸和低功耗的场合。其较低的导通电阻有助于减少能量浪费,提高电动机的驱动效率,并且在低电流条件下也能提供稳定的运行。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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