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SMG2318N-VB 产品详细

产品简介:

SMG2318N-VB MOSFET 产品简介

SMG2318N-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为低电压、高效能的开关应用设计。其最大漏源电压为 30V,最大栅极电压为 ±20V,适用于低功耗电源管理和电子开关电路。该 MOSFET 具有较低的导通电阻(30mΩ @ VGS=10V),能够提供优异的电流承载能力,并具有高效的开关性能。SMG2318N-VB 的阈值电压(Vth)为 1.7V,意味着它可以在较低的栅极电压下开始工作,这使其特别适合于低电压控制和驱动电路。采用 Trench 技术,能够降低导通损耗、减少功率浪费并提升系统的整体效率。这款 MOSFET 特别适用于移动设备、电池供电设备以及各种高效能电源模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
SMG2318N-VB MOSFET 参数说明

- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 10V: 30mΩ
- @ VGS = 4.5V: 33mΩ
- **最大漏电流 (ID)**: 6.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

SMG2318N-VB MOSFET 应用领域

1. **移动设备和便携式电子产品**:
- SMG2318N-VB 的低导通电阻和高效能开关性能使其非常适合用于移动设备和便携式电子产品中。这些设备通常依赖于高效的电源管理来延长电池使用时间,MOSFET 的低功耗特性有助于减少能量消耗,提高电池寿命。常见应用包括智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等。

2. **电池管理系统 (BMS)**:
- 由于其高效能开关和低导通电阻,SMG2318N-VB 非常适用于电池管理系统(BMS)。BMS 需要高效、快速的电流开关,以确保电池充电和放电过程中的稳定性和安全性。这款 MOSFET 能够在电池管理模块中提供可靠的电流控制,同时降低能量损失。

3. **DC-DC 转换器**:
- 在 DC-DC 转换器中,SMG2318N-VB 可用于高效的电压转换。其低导通电阻和高开关效率能够在较低功率和高频率应用中提供优异的转换效率,适合用于如嵌入式电源模块、LED 驱动器和其他小型电源系统中。

4. **LED 驱动系统**:
- 在 LED 驱动电路中,SMG2318N-VB 的低 RDS(ON) 和快速开关特性使其成为高效能开关的理想选择。LED 照明系统通常要求高效、可靠的电流调节器来驱动大规模的 LED 模块,这款 MOSFET 具有较高的电流承载能力,能够处理复杂的 LED 驱动需求。

5. **低功耗无线通信设备**:
- 这款 MOSFET 也适合用于低功耗无线通信设备,如无线传感器、射频前端模块等。这些设备通常需要频繁的电流开关,并且必须保持高效能以延长设备的工作时间。SMG2318N-VB 提供了所需的低功耗和快速开关特性,适合这些要求。

6. **电动工具和家电**:
- 在电动工具和小型家电中,SMG2318N-VB 可以作为电源开关或电流控制元件。它的高电流承载能力和低导通损耗使其能够支持电动工具(如电钻、电动螺丝刀)和小型家电(如吸尘器、食品加工器)的高效能电源系统。

7. **汽车电子系统**:
- 在汽车电子系统中,SMG2318N-VB 可以用于车载电源模块、LED 灯光控制和电池管理等应用。由于其耐高频、低损耗的特性,它能够处理较高频率的电流切换,非常适合用于车载电源系统的高效电源转换。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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