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SMG2314NE-VB 产品详细

产品简介:

SMG2314NE-VB MOSFET 产品简介

SMG2314NE-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 通道 MOSFET,具有 30V 的漏源电压(VDS)和 6.5A 的最大漏极电流(ID)。它的门槛电压(Vth)为 1.7V,栅源电压(VGS)可达 ±20V。该 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 33mΩ,在 VGS=10V 时为 30mΩ,具有较低的导通损耗和高效能,采用 Trench 技术制造,适用于多种需要高效电流控制和低功率损耗的应用场合。

SMG2314NE-VB MOSFET 的设计特点使其在许多高性能电子产品中都表现优异,尤其适用于低电压、高电流的电源管理、电池保护和开关电源等领域。由于其小型的 SOT23-3 封装,这款 MOSFET 在空间有限的设计中同样能够提供强大的电流控制能力,广泛应用于便携式电子设备、移动电话、充电器以及工业控制系统中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
SMG2314NE-VB MOSFET 参数说明

| **参数** | **值** |
|-----------------------------------|-------------------------|
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单 N 通道 (Single N-Channel) |
| **漏源电压(VDS)** | 30V |
| **栅源电压(VGS)** | ±20V |
| **门槛电压(Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V** | 30mΩ |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=4.5V** | 33mΩ |
| **最大漏极电流(ID)** | 6.5A |
| **技术** | Trench |

领域和模块应用:

适用领域和模块

1. **电池管理与电源管理**
SMG2314NE-VB 是高效电池管理和电源管理系统中的理想选择。它的低导通电阻(RDS(ON) 为 30mΩ@VGS=10V)使得在电池供电的便携设备中能够有效减少功率损耗,提高能源效率。特别是在移动电话、平板电脑和其他便携式电子产品的充电电路和电池保护模块中,SMG2314NE-VB 能提供低功耗和高效的电流控制。

2. **移动设备与消费电子**
在各种消费电子设备中,SMG2314NE-VB 可以作为开关元件,广泛应用于电源适配器、快速充电器以及其他需要高电流切换的电路。该 MOSFET 的小型封装使其适用于空间有限的设计需求,适合智能硬件、数码相机、耳机等消费类电子产品的电源管理模块。

3. **低电压 DC-DC 转换器**
SMG2314NE-VB 的高效能和低导通电阻使其成为 DC-DC 转换器的优选开关元件,尤其适用于低电压、高电流的转换需求。它能够提高转换效率并减少系统热量,是高效能电源设计中必不可少的组成部分。

4. **负载开关与过流保护**
在负载开关应用中,SMG2314NE-VB 可用于有效地控制负载电流,提供快速开关响应和较低的开关损耗。此外,其高电流承载能力使其适合用于过流保护电路,在电源管理系统中保证设备的安全运行。

5. **工业控制系统**
在工业控制系统中,SMG2314NE-VB 可用于电源调节、负载控制和信号传输等应用。其小巧的封装和高效能使其在需要精确控制和高频切换的工业控制模块中,特别是在高效电源系统和自动化控制中,具有重要作用。

6. **汽车电子与电动工具**
SMG2314NE-VB 在汽车电子领域也有广泛的应用,包括车载电池管理系统(BMS)、车载电源模块和电动工具的电池保护模块。其优良的电流承载能力和低导通电阻,使其在这些高负荷环境下表现出色,确保系统的高效稳定运行。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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