推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

SMG2306N-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

SMG2306N-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单极 N 通道 MOSFET,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于低电压、高效能的电源开关应用。它的最大漏源电压(V_DS)为 30V,栅源电压(V_GS)为 ±20V,开通电压(V_th)为 1.7V,漏极电流(I_D)最高可达 6.5A。其导通电阻在不同栅电压下分别为 33mΩ @ V_GS = 4.5V 和 30mΩ @ V_GS = 10V,能够有效降低开关损耗,并提高整体电源效率。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有优异的开关特性和低功耗,广泛应用于各种低电压、高频的电源转换电路中。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
详细参数说明

- **型号**:SMG2306N-VB
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单极 N 通道 MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:30V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **开启电压 (V_th)**:1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 33mΩ @ V_GS = 4.5V
- 30mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:6.5A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

SMG2306N-VB 适用于需要低导通电阻和高效率的开关电源、电池管理、LED 驱动等领域。其小巧的 SOT23-3 封装使其在空间受限的应用中也能提供高效能。以下是该 MOSFET 的典型应用:

1. **DC-DC 转换器**
SMG2306N-VB 可用于低电压的 DC-DC 转换器中,作为开关元件。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高频开关条件下表现出色,能够有效提高电源的效率,降低能量损失。特别适合便携式设备、嵌入式系统、电源适配器等领域。

2. **电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统中,SMG2306N-VB 可作为开关元件,用于电池的充电和放电管理。由于其低导通电阻特性,它能够减少电池充放电过程中的能量损耗,并保证电池系统的高效运行,广泛应用于电动工具、电动汽车和便携式设备的电池管理中。

3. **LED 驱动器**
SMG2306N-VB 可以应用于 LED 驱动电路中,作为高效的开关元件。它具有低导通电阻,在驱动 LED 时可以减少热量产生,从而提高系统的稳定性和使用寿命。常见于各种照明系统、LED 显示屏以及其他要求高效能源利用的场景。

4. **同步整流电源**
SMG2306N-VB 非常适合用于同步整流电源中,尤其在高效能开关电源中,利用 MOSFET 的开关特性替代传统的二极管整流,能够显著降低功率损耗,提高转换效率。此功能广泛应用于电源适配器、消费电子、数据中心电源等领域。

5. **低功耗电源供应系统**
SMG2306N-VB 适用于低功耗电源供应系统,尤其是在要求高效率、低电压的便携式设备中,如智能手表、可穿戴设备和无线通信模块。由于其小巧的封装和优异的电气性能,它可以有效减少设备的体积并提高功率转换效率。

6. **电流开关与负载保护**
SMG2306N-VB 在电流开关和负载保护电路中有广泛应用。它能够通过开关调节电流流向,并提供过电流保护,避免电路发生损坏。特别适用于电力控制系统、智能家居设备和电动工具等领域。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询