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SMG2306A-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**SMG2306A-VB** 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 **SOT23-3** 小型封装,适用于低电压和低功耗的开关应用。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 **30V**,栅源电压(VGS)为 **±20V**,最大漏极电流(ID)为 **6.5A**,可在较低的栅电压下进行高效开关。通过采用 **Trench** 技术,SMG2306A-VB 具有极低的导通电阻:**33mΩ**(VGS=4.5V)和 **30mΩ**(VGS=10V),使得它能够在高频率开关工作时保持低功耗。该 MOSFET 适用于广泛的电源管理、负载开关和电池驱动应用,特别适合需要高效开关性能和小体积封装的电子产品。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 在 VGS=4.5V 时:33mΩ
- 在 VGS=10V 时:30mΩ
- **漏极电流(ID)**:6.5A
- **技术**:Trench 技术
- **最大功率耗散**:根据实际工作条件和散热设计
- **最大栅电压**:±20V
- **开关特性**:适用于高频开关应用
- **工作温度范围**:-40°C 至 +150°C

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **DC-DC 转换器**
在 **DC-DC 转换器** 中,SMG2306A-VB 作为开关元件能够实现高效的电能转换。其 **低 RDS(ON)**(30mΩ @ VGS=10V)和高 **漏极电流**(6.5A)使其能够在高频转换中保持较低的损耗,适合应用于手机充电器、便携式设备和工业电源模块等。

2. **负载开关控制**
SMG2306A-VB 的 **低导通电阻** 和 **小封装** 特性使其非常适合用于 **负载开关控制**,尤其是在要求空间紧凑、功耗低的场合。该 MOSFET 可以在低电压电池供电系统中作为负载开关,控制设备的电源开关,提高系统效率。

3. **电池保护电路**
在 **电池保护电路** 中,SMG2306A-VB 可用于保护电池免受过流和过压损害。由于其较低的导通电阻和较高的电流承载能力,它能有效地管理电池的充放电过程,确保系统的稳定性和安全性。

4. **LED 驱动器**
SMG2306A-VB 还广泛应用于 **LED 驱动器** 中。在 LED 驱动系统中,该 MOSFET 能够高效地控制电流流动,减少能量损耗,并保持系统高效稳定地工作,尤其适合用于低功耗和高效能的 LED 照明系统。

5. **智能电源管理系统**
在 **智能电源管理系统** 中,SMG2306A-VB 适用于需要精确开关控制的低压电源系统。其 **低 RDS(ON)** 和 **高电流能力** 使其非常适合用于电池驱动的设备、便携式设备和穿戴式设备中,以提高电源效率和延长电池寿命。

6. **便携式消费电子产品**
由于其小巧的 **SOT23-3** 封装,SMG2306A-VB 非常适合用于 **便携式消费电子产品**,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。这些产品对空间的要求较高,同时对能效和开关性能有较高的要求,SMG2306A-VB 能够在这些场合提供卓越的性能。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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