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SM2416NSAN-VB 产品详细

产品简介:

SM2416NSAN-VB 产品简介

**型号**: SM2416NSAN-VB
**封装**: SOT23-3
**配置**: 单一N沟道 MOSFET
**最大漏源电压 (VDS)**: 30V
**最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
**阈值电压 (Vth)**: 1.7V
**导通电阻 (RDS(ON))**: 33mΩ@VGS=4.5V, 30mΩ@VGS=10V
**最大漏极电流 (ID)**: 6.5A
**技术**: Trench技术

SM2416NSAN-VB 是一款具有低导通电阻、适用于低电压应用的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT23-3封装,最大漏源电压为30V,能够承受较高的电流负载(6.5A),适合小型功率应用。由于其低阈值电压和Trench技术,它在电源管理和负载控制方面具有优异的性能,广泛应用于各种小型电子设备和低功耗模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
SM2416NSAN-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3,适用于小型电子设备和表面贴装(SMD)电路,便于在有限空间内实现高密度布局。
- **配置**: 单N沟道(Single-N-Channel),在控制电压为正时导通,适合常见的开关应用。
- **漏源电压 (VDS)**: 最高30V,适用于低电压控制电路,特别是在30V以下的电源管理应用中表现优异。
- **栅源电压 (VGS)**: 最大 ±20V,适配大部分控制电路和驱动信号。
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V,低阈值电压使其能够在较小的栅电压下迅速导通,适合低电压开关应用。
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ@VGS=4.5V:低导通电阻,减少功率损耗和热量积聚。
- 30mΩ@VGS=10V:进一步降低导通电阻,提升电源效率,适用于高效能电源管理电路。
- **最大漏极电流 (ID)**: 6.5A,适合处理中小电流的负载。
- **技术**: Trench技术,具备高效率和低功耗特性,能够提供优异的开关性能和低导通电阻。

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **电池供电设备**:
SM2416NSAN-VB 的低阈值电压和高效率使其在电池供电设备中非常适用。其低导通电阻能够最大化电池使用效率,减少电池功耗,延长电池的使用时间。适用于移动设备、智能手表、无线耳机等便携式电子产品中的电源管理模块。

2. **DC-DC转换器**:
在DC-DC转换器中,SM2416NSAN-VB 可作为开关元件,提供稳定的电流传输,减少转换过程中的功率损耗。由于其低导通电阻和高开关频率,适用于低电压、高效的DC-DC电源转换,广泛应用于电池供电设备和电源适配器。

3. **负载开关控制**:
由于SM2416NSAN-VB 的高效开关特性,它可以用作负载开关控制器,在各种电子设备中控制负载的接通与断开。例如,在便携设备、智能硬件、家电产品的电源管理中,可以高效地控制电流流向,提供稳定可靠的电源供应。

4. **LED驱动电路**:
在LED驱动电路中,SM2416NSAN-VB 可作为开关元件来驱动LED光源。它的低导通电阻和高电流承载能力,保证了LED光源的稳定驱动,并提高了系统的整体效率。适用于小型LED灯具、照明产品等应用。

5. **低功耗消费电子产品**:
SM2416NSAN-VB 的低功耗特性使其非常适用于低功耗消费电子产品中,如智能家居设备、传感器模块等。其高效能和紧凑封装,使得在空间受限的产品中也能高效地进行电源管理和负载控制。

6. **USB电源管理**:
在USB电源管理模块中,SM2416NSAN-VB 可以用于高效的电源开关控制,尤其是在低电压环境下(如5V USB电源),其小型封装和高效能特性非常适合用于移动设备充电器、电源适配器中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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