产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12（±V） |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
|
|
|
2. 详细参数说明
| **参数** | **说明** |
|------------------|----------------------------------------------------|
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单极 N-Channel |
| **VDS（漏极-源极电压）** | 20V |
| **VGS（栅极-源极电压）** | ±12V |
| **Vth（阈值电压）** | 0.5V~1.5V |
| **RDS(ON)（导通电阻）** | 42mΩ（在VGS=2.5V时），28mΩ（在VGS=4.5V时） |
| **ID（漏极电流）** | 6A |
| **技术** | Trench |
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**：20V的额定电压使其适用于低压电源系统和小功率开关电路，能够满足低电压驱动应用的需求。
- **栅极-源极电压 (VGS)**：最大栅极电压为±12V，保证了该MOSFET能在大部分标准控制系统中稳定工作。
- **阈值电压 (Vth)**：0.5V至1.5V的阈值电压范围，使该MOSFET在较低栅电压下即可开启，特别适合低电压操作的应用，提供更快的响应速度。
- **导通电阻 (RDS(ON))**：在VGS=4.5V时，RDS(ON)为28mΩ，能够提供高效的电流导通，减少开关损耗，非常适合于低功率高频率开关应用。
- **漏极电流 (ID)**：最大漏极电流为6A，适合于中小功率的电流控制，广泛应用于电源转换和开关电路。
领域和模块应用：
3. 适用领域和模块
- **低功率电源转换器**：由于其较低的Vth和RDS(ON)，SM2300NSAC-VB 非常适用于低功率DC-DC转换器、电源模块以及电池管理系统。它能在低栅电压下可靠工作，提供高效的开关转换，优化系统的能源消耗。
- **便携设备与消费电子**：SM2300NSAC-VB 小巧的SOT23-3封装和低导通电阻，使其非常适用于便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，尤其是在电池驱动的应用中。它有助于提高电池的工作效率并延长电池使用寿命。
- **LED驱动电路**：该MOSFET可用于LED照明驱动电路，特别是在低功率LED应用中。它能提供稳定的电流调节，减少能量损耗，确保LED的长时间稳定工作。
- **低功耗开关电路**：在低功耗系统中，SM2300NSAC-VB 可以作为高效的开关元件，应用于诸如功率管理、开关电源、信号放大器等电路。由于其低RDS(ON)，它能够减少电路中的热损耗。
- **电池保护与充电系统**：该MOSFET适用于电池保护电路（如过压、过流保护）和电池充电系统。在这些系统中，它能够有效控制电池的充放电过程，保护电池免受不良电流和电压条件的影响。
- **小型电动工具与家电**：SM2300NSAC-VB 的低开关损耗使其适合用于小型电动工具和家电产品中，在这些设备中可以有效提高功率转换效率，减少不必要的能量浪费。
- **传感器与通信设备**：该MOSFET也可以用于传感器系统和低功耗通信模块中，尤其是在要求快速响应和低功耗的无线传感器网络（WSN）中。
总结来说，**SM2300NSAC-VB** 是一款在低电压、低功耗应用中表现优异的MOSFET，广泛应用于便携电子设备、低功率电源管理、LED驱动、电池管理及保护系统等领域。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
立即下载
中文
English
返回上级页面
