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Si2399DS-T1-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
Si2399DS-T1-VB是一款单P型MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低电压和高效率应用设计。该型号MOSFET具有较低的RDS(ON)值,适用于高效功率管理和开关电源系统。其最大漏源电压(VDS)为-20V,能够满足低电压系统中的电流控制需求。该MOSFET采用Trench技术,具有优异的开关性能和低导通电阻,适用于移动设备、消费类电子产品、电池管理系统以及其他低功耗应用。Si2399DS-T1-VB在负载开关、功率转换、过电流保护等多个领域中都能提供高效能和稳定性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
详细参数说明

- **型号**: Si2399DS-T1-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单P型Channel
- **VDS (漏源电压)**: -20V
- **VGS (栅源电压)**: ±12V
- **Vth (阈值电压)**: -0.8V
- **RDS(ON)**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **ID (最大漏极电流)**: -4A
- **技术**: Trench(沟槽型技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **移动设备电池管理系统**
Si2399DS-T1-VB的低导通电阻使其非常适合在电池管理系统中使用。它可以作为电池供电设备的负载开关,控制电流流向,优化功率传输效率。在智能手机、平板电脑及其他便携设备的电池保护与电源管理中,它能够确保系统的稳定运行并延长电池寿命。

2. **DC-DC转换器与电源供应**
Si2399DS-T1-VB具有较低的RDS(ON),在DC-DC转换器中表现出色。它能够降低导通损耗,提高电源转换效率,适用于需要高效能的电源模块设计。该器件广泛应用于高效能的电压转换器、电池充电器、LED驱动电源等领域。

3. **过电流保护与负载开关**
作为负载开关,Si2399DS-T1-VB具有高电流处理能力(最大漏极电流为-4A)。它能够在电池和其他电源系统中实现过电流保护,防止电流过大损坏电路。该MOSFET在各种设备中用于保护电池和电源组件,例如在移动设备、电动工具、智能家居设备等中使用。

4. **汽车电子**
Si2399DS-T1-VB也可应用于汽车电子系统,特别是在车载电源管理和电池系统中。在电动车或传统汽车的电池管理系统中,它能够有效调节电流、控制功率损耗,并通过低导通电阻确保稳定的电源供应。

5. **消费电子与智能硬件**
在消费电子领域,Si2399DS-T1-VB可用于智能家居设备、电视、音响、游戏主机等的电源模块。其高效的开关特性使其能够在电源管理中发挥作用,如在系统中起到电池供电和电压调节的功能。

6. **计算机与通信设备**
Si2399DS-T1-VB同样适用于计算机电源管理系统和通信设备中的负载开关和功率转换应用。其高效性能和较低的导通电阻使其在数据通信设备和计算机电源中作为开关和调节组件,提供高效的电流控制。

7. **工业控制系统**
该MOSFET可用于工业控制系统中,尤其是在负载控制和电源管理的应用中。Si2399DS-T1-VB可作为电机驱动、电气控制模块的开关,在电动工具、机器人等工业设备中提供稳定可靠的电源管理。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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