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SI2351DS-T1-VB 产品详细

产品简介:

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**SI2351DS-T1-VB** 是一款基于 Trench 技术的单极性 P 型 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,专为低电压和小体积应用设计。该 MOSFET 提供了高效的开关性能,具有 -20V 的最大漏极-源极电压和 -4A 的最大漏极电流,适用于各种低功耗电子设备。SI2351DS-T1-VB 的低导通电阻和稳定的电气性能使其在电源管理、负载开关、过压保护等领域中非常有用,尤其适合便携式设备和消费类电子产品中的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
详细参数说明:
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单极性 P 型 MOSFET
- **最大漏极-源极电压(VDS)**:-20V
- **最大栅极-源极电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:-0.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:-4A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

典型应用领域与模块:

1. **电池管理系统(BMS)**:
SI2351DS-T1-VB 非常适合用于便携式设备中的电池管理系统。在这种应用中,MOSFET 用于高效的电源开关、充电管理和过压保护。由于其低导通电阻,它可以帮助减少电池充放电过程中的能量损失,提升电池效率,并确保设备安全运行。

2. **负载开关**:
该 MOSFET 由于其高效的开关特性,广泛应用于负载开关电路中。SI2351DS-T1-VB 可以作为负载与电源之间的开关,控制设备的电流流向,并有效防止不必要的功率损耗。它广泛应用于移动设备、通信设备和其他嵌入式系统中,确保电路能高效、稳定地运行。

3. **过压保护电路**:
在电源保护电路中,SI2351DS-T1-VB 可用于过压保护,防止电流过高或电压波动时损坏电路。其 P 型配置非常适合这种应用,能够在电压异常时迅速断开电路,保护其他敏感元件不受损害。该特性使其非常适合用于电源适配器、充电器和电源管理模块等领域。

4. **DC-DC 转换器**:
由于 SI2351DS-T1-VB 的低导通电阻和紧凑封装,它在 DC-DC 转换器中作为开关元件非常理想。它能够在高效电压转换中减少损耗,提升整体能效。特别是在便携式电子设备和低功耗电源模块中,SI2351DS-T1-VB 可用于降低功率损耗并提高电源转换效率。

5. **便携式电子产品**:
SI2351DS-T1-VB 由于其小体积和高效的电气性能,广泛应用于各种便携式电子产品中,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它能够有效管理电源,保证设备在长时间工作时的稳定性和续航能力。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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