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SI2347DS-VB 产品详细

产品简介:

SI2347DS-VB MOSFET 产品简介

SI2347DS-VB 是一款单P沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,适用于多种低电压、高效能的开关应用。其最大漏源电压 V_DS 为 -30V,最大栅源电压 V_GS 为 ±20V,适合用于负电源电路或负电压控制系统。SI2347DS-VB 的阈值电压 (V_th) 为 -1.7V,导通电阻 (R_DS(ON)) 在 V_GS = 4.5V 时为 54mΩ,在 V_GS = 10V 时为 46mΩ,具有较低的功率损耗和较高的电流承载能力,最大漏电流 (I_D) 为 -5.6A。采用 Trench 技术,这款 MOSFET 具备高效能和低功耗的特点,能够在较低电压下提供稳定的开关控制,适用于高效率的功率转换和负载开关应用。

其广泛应用于低电压电源管理、负载开关、LED驱动等领域,尤其适合于对开关效率和功率损耗有严格要求的场合。该 MOSFET 的低导通电阻特性使其成为现代电子设备中高效能电源和电动驱动系统的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
SI2347DS-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**: SI2347DS-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单P-通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**: -30V
- **最大栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: -1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 在 V_GS = 4.5V 时,R_DS(ON) = 54mΩ
- 在 V_GS = 10V 时,R_DS(ON) = 46mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: -5.6A
- **技术**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **封装类型**: SOT23-3

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领域和模块应用:

SI2347DS-VB MOSFET 应用领域和模块

1. **电源管理**
SI2347DS-VB 可以广泛应用于低压电源管理系统,特别是在负电压控制系统中,例如负电源转换器、逆变器等。由于其低导通电阻特性,该 MOSFET 可以提高电源转换效率,减少功率损耗,使得系统在低电压下也能够稳定高效地工作。

2. **负载开关**
在负载开关应用中,SI2347DS-VB 作为一个开关元件,可以实现精确的负载控制,尤其适用于需要高效能和低功耗的开关控制电路。例如,在电池管理系统、便携式设备、电源开关电路等中,SI2347DS-VB 能有效管理电源的连接和断开,确保系统高效、稳定运行。

3. **LED 驱动**
SI2347DS-VB 的低 R_DS(ON) 特性使其非常适合用于 LED 驱动电路。在 LED 驱动系统中,MOSFET 扮演着电流控制的角色,尤其是在要求低功率损耗和高效率的情况下。它可以有效减少发热,提高整体系统的性能,延长 LED 的使用寿命。

4. **电动驱动系统**
SI2347DS-VB 也可以应用于电动驱动系统中,尤其适合用于低功率电动工具、电动玩具、电动设备等的电源管理和开关控制。由于其较高的电流承载能力和较低的导通电阻,该 MOSFET 能够提供高效的电流管理,支持电动驱动系统的平稳运行。

5. **消费电子产品**
在各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、便携式音响等,SI2347DS-VB 可用于电源管理模块。它可以用作负载开关或功率转换器的开关元件,帮助提高电池管理系统的效率,延长设备的电池续航时间。

6. **汽车电子系统**
在汽车电子应用中,SI2347DS-VB 可作为电源开关或负载控制开关,尤其是在需要负电源控制的系统中,例如汽车电池管理、电动座椅调节系统等。其高效能和高可靠性使其成为汽车电气系统中理想的元件之一。

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SI2347DS-VB MOSFET 具有出色的开关性能和低功耗特性,适用于广泛的应用领域,包括电源管理、LED驱动、电动驱动系统等。其高效、可靠的性能使其成为现代电子设备中不可或缺的重要组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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